1T-SRAM

基本介紹

• 中文名：1T-SRAM
• 使用：單電晶體單元
• 完成：高頻數據訪問及交換工作
• 特點：更加省電，低能耗

MoSys的1T-SRAM技術使用單電晶體單元即可完成以前6電晶體單元才能完成的高頻數據訪問及交換工作。因此1T-SRAM在Nintendo GameCube中的使用使得開發者們可以不再考慮以前6路電晶體SRAM的密度排布，而且它還可以有效減少線路的複雜程度以及為此而使用嵌入式DRAM而造成的不必要的花費。使用了1T-SRAM技術製造的存儲器相比於傳統的6路電晶體靜態存儲器其體積大大減小（僅為原來的1/9），除了更加高效與更小外，1T-SRAM還將更加省電，低能耗是它的又一優點。