讀操作

CPU為了與存貯器或I/O連線埠進行一個位元組的數據交換，需要執行一次匯流排操作。按數據傳輸的方向來分，可將匯流排操作分為讀操作和寫操作兩種類型；按照讀/寫的不同對象，匯流排操作又可分為存貯器讀/寫與I/O讀/寫操作。

基本介紹

• 中文名：讀操作
• 外文名：Read operation

UV-EPROM的讀操作

接下來我們看一下UV-EPROM的讀操作。無論怎么說，這只是作為ROM（Read Only Memory，唯讀存儲器）的操作，因而非常簡單。
將地址匯流排（A0～A16）設定為希望訪問的地址，當CE=OE=低電平時，DQ中出現數據。
現在，讓我們來討論AC特性。
AC特性對時序進行了規定。圖顯示了Am27C0l0讀操作時的波形。具體的時序如表所示。在“速度等級”一欄中雖然有許多內容，但這表示即使是相同的器件，也將根據tACC時間進行區分。器件中標示速度等級的“—45”及“－90”等的數值是與器件型號及批號等一同被列印上去的。

圖讀操作的波形

表的AC時序

這並不是根據速度等級的不同而進行不同的設計，即使是以完全相同的設計進行製造，也將根據試驗結果和出貨計畫進行等級分類。例如，“－ 90”器件的tACC最大是90ns，它不能歸類到“－70”的器件中。也就是說，tACC的實際測量值如果不是大於70ns、低於90ns之間的值，那么根據情況，可能被歸類到“－45”及“—70”等的等級中。
下面我們針對圖示的時序做少許補充。
1. tACC：地址訪問時間（Address Access Time）
在維持CE=DE=“L”（低電平）的狀態下，如果改變地址匯流排的狀態，則一定時間後該地址的數據將顯現於DQ端。從地址確定後到數據被實際確定之間的時間就是tACC。在tACC時間形成之前，不能確保DQ端出現數據。

2. tCE：CE訪問時間
在地址確定、OE仍然維持“L”低電平的狀態下，如果CE有效（為“L”），則一定時間之後將出現指定地址的數據。從CE有效到確保數據已確定這一段時間是tCE。的tACC和tCE的時間是相同的。
3. tOE
在地址確定、CE維持“L”低電平的狀態下，從OE有效到數據被確定的時間就是tOE。觀察存儲器內部，一旦地址確定、CE有效,則向存儲器單元的訪問就全部完成，數據輸出到EPROM的輸出緩衝器前。
在此，只要OE有效，輸出緩衝器就輸出數據。為此，比較tACC和tCE，tOE會更短。
tACC、tCE和tOE無論哪個都不能單獨確定大小，必須在整體中去適應速度最慢的那個時間值。例如，在利用了Am27C0l0 Qn的系統中，地址確定後，在5ns後CE有效，再5ns後OE有效。從表中可看出，tACC=tCE=90ns，tOE=40ns。
如果以地址被確定那一時刻作為起點，則：
根據tACC的訪問時間：90ns
根據tCE的訪問時間：5ns+90ns=95ns
根據tOE的訪問時間：5ns+5ns+40ns=50ns
因而，訪問時間的大小取決於tACC、tCE和tOE中最長的tCE，也就是說地址被指定後數據將在95ns後被確定。

4. tDF

CE及OE如果無效，則DQ引腳處於高阻抗狀態。但這也不能說是瞬間，還是需要一些時間的，該時間就是tDF。在tDF以內的時間裡，如果其他的器件驅動了數據匯流排，則將會與EPROM的輸出發生衝突。因此，在進行硬體設計時必須注意這一點。

5.tOH
提供給EPROM的地址發生變化，或者即使CE和OE無效，瞬間數據也不會消失，而是在非常短的時間內，維持輸出的原始狀態。規定的這個最小時間就是tOH。

的該時間全部是零，所以不能確保地址發生變化或者OE及CE無效後的數據。