矽光電池

矽光電池

矽光電池是一種直接把光能轉換成電能的半導體器件。它的結構很簡單,核心部分是一個大面積的PN 結,把一隻透明玻璃外殼的點接觸型二極體與一塊微安表接成閉合迴路,當二極體的管芯(PN結)受到光照時,你就會看到微安表的錶針發生偏轉,顯示出迴路里有電流,這個現象稱為光生伏特效應。矽光電池的PN結面積要比二極體的PN結大得多,所以受到光照時產生的電動勢和電流也大得多。

基本介紹

  • 中文名:矽光電池
  • 類別:半導體
  • 核心部分:PN結
  • 作用:光電轉化
套用,產業,類別,晶體矽,非晶矽,多晶矽,碲化鎘,砷化鎵,其它材料,

套用

光敏感測器的基礎是光電效應,即利用光子照射在器件上,使電路中產生電流或使電導特性發生變化的效應。目前半導體光敏感測器在數碼攝像光通信太空飛行器、太陽能電池等領域得到了廣泛套用,在現代科技發展中起到了十分重要的作用。
矽光電池
能源--矽光電池串聯或並聯組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造衛星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源;也可做電子手錶、電子計算器、小型號汽車、遊艇等的電源。
光電檢測器件--用作近紅外探測器、光電讀出、光電耦合、雷射增加準直、電影還音等設備的光感受器。
光電控制器件--用作光電開關等光電控制設備的轉換器件。

產業

光伏技術可直接將太陽的光能轉換為電能,用此技術製作的光電池使用方便,特別是近年來微小型半導體逆變器迅速發展,促使其套用更加快捷。美、日、歐和開發中國家都制定出龐大的光伏技術發展計畫,開發方向是大幅度提高光電池轉換效率和穩定性,降低成本,不斷擴大產業。目前已有80多個國家和地區形成商業化、半商業化生產能力,年均增長達16%,市場開拓從空間轉向地面系統套用,甚至用於驅動交通工具。據報導,全球發展、建造太陽能住宅(光電池 作屋頂、外牆、窗戶等建材用)投資規模為600億美元,而到2005年還會再翻一倍達1200億美元,光伏技術製作的光電池有望成為21世紀的新能源。以下按其材料分類,展示光伏技術、產業及市場發展動向。

類別

晶體矽

晶體矽光電池單晶矽多晶矽兩大類,用P型(或n型)矽襯底,通過磷(或硼)擴散形成Pn結而製作成的,生產技術成熟,是光伏市場上的主導產品。採用埋層電極、表面鈍化、強化陷 光、密柵工藝、最佳化背電極及接觸電極等技術,提高材料中的載流子收集效率,最佳化抗反射膜、 凹凸表面、高反射背電極等方式,光電轉換效率有較大提高。單晶矽光電池面積有限,目前比較大的為Φ10至20cm的圓片,年產能力46MW/a。目前主要課題是繼續擴大產業規模,開發帶狀矽光電池技術,提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24%,空間用高質量的效率在AM0條件約為13.5?18%,地面用大量生產的在AM1條件下多在11?18%之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶矽錠代替單晶矽,可降低成本,但效率較低。最佳化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷,切磨拋工藝,千方百計進一步降成本,提高效率,大晶粒多晶矽光電池轉換效率最高達18.6%。

非晶矽

a-Si(非晶矽光電池一般採用高頻輝光放電方法使矽烷氣體分解沉積而成的。由於分解沉積溫度低,可在玻璃、不鏽鋼板陶瓷板、柔性塑膠片上沉積約1μm厚的薄膜,易於大面積化 (0.5m×1.0m),成本較低,多採用p in結構。為提高效率和改善穩定性,有時還製成三層p in 等多層疊層式結構,或是插入一些過渡層。其商品化產量連續增長,年產能力45MW/a,10MW生產線已投入生產,全球市場用量每月在1千萬片左右,居薄膜電池首位。發展集成型a-Si光電池組 件,雷射切割的使用有效面積達90%以上,小面積轉換效率提高到14.6%,大面積大量生產的為8-10%,疊層結構的最高效率為21%。研發動向是改善薄膜特性,精確設計光電池結構和控制各層厚度,改善各層之間界面狀態,以求得高效率和高穩定性。

多晶矽

p-Si(多晶矽,包括微晶)光電池沒有光致衰退效應,材料質量有所下降時也不會導致光電池受影響,是國際上正掀起的前沿性研究熱點。在單晶矽襯底上用液相外延製備的p-Si光電池轉 換效率為15.3%,經減薄襯底,加強陷光等加工,可提高到23.7%,用CVD法製備的轉換效率約為 12.6-17.3%。採用廉價襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法,或對a-Si:H材料膜進行後退火,達到低溫固相晶化,可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶矽薄膜生長與a-Si工藝相容,光電性能和穩定性很高,研究受到很大重視,但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結構,是提高a-S光電池穩定性和轉換效率的重要途徑,可更充分利用太陽光譜,理論計算表明其效率可在28%以上,將使矽基薄膜光電池性能產生突破性進展。銅銦硒光電池
CIS(銅銦硒)薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發的熱門課題,它具有轉換效率高(已達到17.7%),性能穩定,製造成本低的特點。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價襯底上分別沉積多層膜而構成的,厚度可做到2?3μm,吸收層CIS膜對電池性能起著決定性作用。現已開發出反應共蒸法和硒化法(濺射、蒸發、電沉積等)兩大類多種製備方法,其它外層通常採用真空蒸發或 濺射成膜。阻礙其發展的原因是工藝重複性差,高效電池成品率低,材料組分較複雜,缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產業界重視,一些知名公司意識到它在未來能源市場中的前景和所處地位,積極擴大開發規模,著手組建中試線及製造廠。

碲化鎘

CdTe(碲化鎘)也很適合製作薄膜光電池,其理論轉換效率達30%,是非常理想的光伏材料。可採用升華法、電沉積噴塗絲網印刷等10種較簡便的加工技術,在低襯底溫度下製造出效率12%以上的CdTe光電池,小面積CdTe光電池的國際先進水平光電轉換率為15.8%,一些公司正深入研究與產業化中試,最佳化薄膜製備工藝,提高組件穩定性,防範Cd對環境污染和操作者的健康危害。

砷化鎵

GaAs砷化鎵光電池大多採用液相外延法或MOCVD技術製備。用GaAs作襯底的光電池效率高 達29.5%(一般在19.5%左右),產品耐高溫和輻射,但生產成本高,產量受限,目前主要作空間電源用。以矽片作襯底,用MOCVD技術異質外延方法製造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。

其它材料

InP(磷化銦光電池抗輻射性能特別好,效率達17%到19%,多用於空間方面。採用SiGe單晶襯底,研製出在AM0條件下效率大於20%的GaAs/Si異質結外延光電池,最高效率23.3%。Si/ Ge/GaAs結構的異質外延光電池在不斷開發中,控制各層厚度,適當變化結構,可使太陽光中各 種波長的光子能量都得到有效利用,GaAs基多層結構光電池效率已接近40%。

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