異質外延

基本介紹

• 中文名：異質外延法
• 外文名：heteroepitaxy

外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層，相應的工藝就叫做異質外延；這類工藝複雜、成本較低

這種方法在晶體生長中套用的比較多，能夠改善晶體的生長，可以用來形成自然界中沒有的人工結構材料。

在半導體套用中，異質外延材料的選擇是根據其能帶間隙和晶格匹配來決定的。對於光學套用，還需要考慮光子躍遷方式。