台階覆蓋（step-coverage）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：台階覆蓋
- 外文名：step-coverage
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
台階覆蓋
相關詞條
- 台階覆蓋
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- 離化的物理氣相澱積技術
離化的物理氣相澱積技術是一種先進的物理氣相澱積(PVD)技術，來改善台階覆蓋效果。定義 在電鍍工藝之前，必須先澱積一層種子層。澱積這層種子層最常用的方法就是採用物理氣相澱積（PVD）技術來澱積一層銅，而採用這種PVD方法存在的問題就是電鍍銅層對勢壘層和種子層的台階覆蓋情況會比較差。為了緩解這個問題，已經開發...
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- APCVD
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- 濺射工藝
若在濺射時襯底加適當的偏壓，可以兼顧襯底的清潔處理，這對生成薄膜的台階覆蓋也有好處。另外，用濺射法可以製備不能用蒸發工藝製備的高熔點、低蒸氣壓物質膜，便於製備化合物或合金的薄膜。濺射主要有離子束濺射和電漿濺射兩種方法。離子束濺射裝置中，由離子槍提供一定能量的定向離子束轟擊靶極產生濺射（圖1）。...
- 欒川恆裕礦業有限公司
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- PECVD系統
MEMS技術：PECVD沉積的薄膜具有優良的電學性能、襯底附著性以及台階覆蓋性。技術參數 電源功率：0–500 W可調（2025年數據）。恆溫區長度：最長400 mm。混氣系統：四通道質量流量控制系統。工藝存儲：支持保存六組參數。產品型號 PECVD-4000型：四腔體結構，專用於矽薄膜摻雜工藝。PD-220NL型：雙頻技術實現矽基薄膜...
- 原子層沉積系統
台階覆蓋率優異，適應複雜三維結構 部分系統配置雙腔體結構，可實現反應腔真空度15分鐘內降至100 Pa以下，同時具備粉末沉積腔、擴散增強器等擴展功能。套用領域 主要套用於：**電晶體柵極介電層製備（高k介質沉積）**太陽能電池無鎘緩衝層沉積（CIGS表面鈍化）微電子機械系統（MEMS）器件製造 **納米催化劑表面修飾 截...
- 陶珩(中微公司董事、副總經理)
2024年，陶珩作為公司董事、集團副總裁、CVD產品部及公共工程部總經理，主導推出自主研發的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex®HW和12英寸原子層金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex®AW。這兩款設備具備優異的台階覆蓋率和低電阻特性，滿足多種複雜結構需求，擴充了公司薄膜設備產品線。股權激勵 2023年，...
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- 硼磷矽玻璃
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- 表面矽MEMS加工技術
TEOS具有良好的一致性和台階覆蓋性，但由於澱積溫度較高，不能用作鋁電極引線的鈍化層。此外還有一種在約900℃條件下，通過SiCl₂H₂和N₂O反應澱積氧化矽的方法，這種氧化矽具有良好的薄膜特性和一致性，但不適於製作多晶矽的絕緣層。LPCVD澱積氧化矽是在700℃~900℃條件下，通過SiCl₂H₂和NH₃反應...
- 望山橋墓地
1月11日，為防止太陽照射致台階泥土太過乾燥而造成塌方，考古人員用塑膠膜將整個台階覆蓋。同時，開始起槨室內吊隔梁板及內槨蓋板，清理盜洞淤積土並對槨室內情況進行照相、攝像，對盜墓現狀進行三維掃描。文物價值 荊州是楚國強盛時期都城所在地，是楚文化的核心區。然而，儘管自上世紀七十年代以來發掘了近7000座楚墓...
- 微電子製造科學原理與工程技術(第四版)
12.3 台階覆蓋307 12.4 蒸發系統：坩鍋加熱技術309 12.5 多組分薄膜311 12.6 濺射簡介312 12.7 濺射物理313 12.8 澱積速率：濺射產額314 12.9 高密度電漿濺射316 12.10 形貌和台階覆蓋318 12.11 濺射方法321 12.12 特殊材料的濺射323 12.13 澱積薄膜內的應力325 12....
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ALD沉積的薄膜緻密，無針孔缺陷，台階覆蓋性好，大面積厚度非常均勻。近年來ALD技術迅速發展，已經可以沉積幾百種薄膜[13]，被廣泛套用於微電子、光學、防腐、催化、燃料電池和太陽能電池等眾多領域。 本項目在國際上首次將先進的原子層沉積技術套用於矽基MOS結構電致發光器件的研究，以替代傳統的離子注入和熱氧化...
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