偏壓濺射是2013年公布的機械工程名詞。
基本介紹
- 中文名：偏壓濺射
- 外文名：bias sputtering
- 所屬學科：機械工程
- 公布年度： 2013年
定義,出處,
定義
在濺射過程中，將負偏壓施加於基片以及膜層的濺射。
出處
《機械工程名詞》。
偏壓濺射
相關詞條
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偏壓濺射是2013年公布的機械工程名詞。 定義在濺射過程中，將負偏壓施加於基片以及膜層的濺射。 出處《機械工程名詞》。...
- 濺射工藝
通常，製取化合物或合金薄膜是用化合物或合金靶直接進行濺射而得。在濺射中，濺出的原子是與具有數千電子伏的高能離子交換能量後飛濺出來的，其能量較高，往往比蒸發原子高出1～2個數量級，因而用濺射法形成的薄膜與襯底的粘附性較蒸發為佳。若在濺射時襯底加適當的偏壓，可以兼顧襯底的清潔處理，這對生成薄膜的...
- 濺鍍
二極濺鍍射：靶材為陰極，被鍍工件及工件架為陽極，氣體（氬氣Ar）壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。磁控濺射：在陰極靶表面形成一正交電磁場，在此區電子密度高，進而提高離子密度，使得濺鍍率提高（一個數量級），濺射速度可達0.1-1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是最實用的鍍膜技術之一。其它有偏壓濺射、...
- 磁控濺射
濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。由於被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能後飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利於提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的緻密程度，使制出的薄膜與基片...
- 射頻濺射
為了濺射沉積絕緣材料，人們將直流電源換成交流電源。由於交流電源的正負性發生周期交替，當濺射靶處於正半周時，電子流向靶面，中和其表面積累的正電荷，並且積累電子，使其表面呈現負偏壓，導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材，從而實現濺射。由於離子比電子質量大，遷移率小，不像電子那樣很快地向靶表面...
- 濺射鍍
直流濺射：適用於導電靶材，通過直流電源維持輝光放電，結構簡單但沉積速率較低 射頻濺射：採用13.56 MHz射頻電源，可濺射絕緣材料，通過自偏壓效應實現靶材轟擊 磁控濺射：引入磁性組件約束電子，降低工作氣壓至0.5-5 Pa，沉積速率達電子束蒸發水平 反應濺射：通入反應氣體（如氮氣、氧氣），使濺射原子化合沉積形成...
- 真空磁控濺射技術
平面磁控濺射 平衡平面濺射是最常用的平面靶磁控濺射，磁力線有閉合迴路且與陰極平行，即在陰極表面構成一個正交的電磁場環形區域。電漿被束縛在靶表面距離靶面大約60cm的區域，通常在基片上加負偏壓來改善膜與基體的結合能力；非平衡平面磁控濺射為了將等離子區域擴展，利用磁體擺放方式的調整，可以方便的獲得不同的非平衡磁控
- 磁控濺射離子鍍
磁控濺射離子鍍是一種將磁控濺射的大面積穩定濺射源與離子鍍技術的高能離子轟擊作用相結合的鍍膜工藝。該工藝在真空環境中利用氬離子轟擊靶材，濺射出的膜料原子部分電離，在基板負偏壓作用下加速沉積，顯著提升膜層質量和結合力。其結合了磁控濺射低溫沉積、表面光滑的優點與離子鍍的高離化率和緻密塗層特性，可製備裝飾...
- 射頻濺鍍
不像電子那樣很快地向靶表面集中，所以靶表面的點位上升緩慢。由於在靶上會形成負偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導體靶。在射頻濺射裝置中，電漿中的電子容易在射頻場中吸收能量並在電場內振盪。因此，電子與工作氣體分子碰撞並使之電離產生離子的機率變大，故使得擊穿電壓，放電電壓及工作氣壓顯著降低。
- 二極濺射鍍膜
在真空設備中通入惰性氣體（一般為氬氣Ar），在兩極加上一定電壓使其電離產生電漿，靶材表面加上一定的負偏壓，使得電漿中的正離子飛速向靶材表面運動，撞擊靶材表面使其產生濺射效應產生靶原子，靶材原子在真空室中自由運動，於工件表面沉積，從而形成薄膜。實際上是靶材由固相變成氣相再變回固相的過程。優點：...
- 磁控濺射台
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- 直流三極濺射
直流三極濺射 直流三極濺射，採用直流電源，在二極濺射的基礎上，增加一個發射熱電子的熱陰極，形成直流三極的濺射鍍膜方法。若再另設一電子收集極，則為四極濺射鍍膜。
- 超高真空多靶濺射機
主濺射室極限真空：6.6×10-6Pa（烘烤後，加液氮）；進樣室極限真空：8×10-5Pa（經6小時烘烤）；RF射頻電源：N=500W f=13.56MHz 1台；DC直流電源：N=500W 4台；勵磁電源：180W 1台；偏壓電源：-200V 1台；控溫電源：0~800℃連續可調 1台；主濺射室可烘烤至150℃。主要功能 超高真空多靶磁控濺射...
- 多頻電漿濺射沉積Ag摻雜a-SiCxOy發光材料的研究
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- 高離化率磁控濺射薄膜製備及形成機理研究
研究圍繞HPPMS工藝展開，系統分析了電源屬性、氣體壓力、基體偏壓等參數對金屬離子離化率及能量的影響，揭示了薄膜生長機制與結構性能的關聯性。通過數值模擬解析電漿分布及帶電粒子輸運規律，建立了工藝參數與沉積均勻性的理論模型，為複雜形狀零件鍍膜調控提供了依據。項目通過實驗與模擬結合，實現了靶材濺射原子離化率...
- 多功能離子束磁控濺射
兩套Φ80cm濺射離子源、一套Φ60cm低能清洗離子源、兩套三工位濺射轉靶、兩套Φ50cm磁控濺射靶、六工位自轉/公轉樣品台（含兩個水冷台、兩個加熱台、一個粉末台、一個偏壓台）、極限真空度≤1×10-4Pa、漏率≤1×10-8Pa L/S、配循環水冷卻系統。主要功能 磁控濺射鍍膜，離子束濺射鍍膜。
- 直流磁控濺射電源
直流磁控濺射電源是採用脈寬調製技術（PWM）的磁控濺射工藝專用供電裝置，通過調節高頻變換的脈衝寬度實現電流輸出調控。該設備支持恆流、恆壓、恆功率三種工作模式，內置IGBT功率模組和均流控制技術，電能轉換效率可達93%以上，較傳統可控矽電源節能約40%。具備電壓陡降回響特性，可滿足磁控濺射工藝對電漿穩定性的特殊...
- 磁控離子束濺射雙室薄膜製備系統
於2013年10月11日啟用。技術指標 系統暴露大氣後5分鐘並充乾燥氮氣開始抽氣：離子束濺射室30分鐘可達到6.6x10-4Pa；離子束/控濺射室：系統停泵關機12小時後真空度：≤5Pa；1.600w全自動匹配射頻電源及匹配器2.數字式500w直流電源3.數字式-200v偏壓電源。主要功能 開發納米級的單層及多層功能膜和複合膜。
- 非平衡磁控濺射ICP增強電離會切磁場約束沉積技術
採用非平衡磁控濺射點會切磁場約束的ICP增強電離技術，形成高沉積率高電離度的沉積系統；研究會切磁場與濺射源磁場交聯分布對濺射產物的速度分布濺射效率和電離度的影響規律；研究會切磁場分布對禁止環自偏壓的影響規律；研究會磁場分布對ICP的電子濃度電子溫度的影響。這種技術可套用於微電子半導體等高技術領域。
- 真空鍍
工件負偏壓：/ 性能特點：磁控靶數量多，靶材種類變化大，各種參數變化範圍大，所鍍制膜層有金屬、合金、化合物，可鍍制單 層或多層膜。五、中頻磁控濺射鍍膜機 中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑,是鍍制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想設備，徹底克服了靶打弧和中毒現象,並具濺射速率快、...
- 真空鍍膜(2012年化學工業出版社出版的圖書)
5211偏壓濺射鍍膜 53真空濺射鍍膜設備 531間歇式真空濺射鍍膜機 532半連續磁控濺射鍍膜機 533大面積連續式磁控濺射鍍膜設備 參考文獻 第6章真空離子鍍膜 61真空離子鍍膜及其分類 62離子鍍膜原理及其成膜條件 63離子鍍膜過程中電漿的作用及到達基體入射的粒子能量 64離子轟擊在...
- 佛山諾亞電器有限公司
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- 金剛石膜
在相同濺射偏壓下，電漿的密度增加，濺射率提高，增加了薄膜的沉積速率。而且由於二次電子和工作氣壓的碰撞電離率高，因而可以在較低工作氣壓(10—1～1Pa)和較低濺射電壓下(-500V)產生自持放電。濺射用的惰性氣體一般選擇氬氣(Ar)，因為它的濺射率最高。(2)離子束沉積 離子束沉積方法的原理是採用氬電漿...
- 離子鍍膜技術
離子鍍膜技術是通過氣體放電產生電漿，在偏壓電場作用下將粒子沉積到基體表面的現代表面工程技術。核心技術特性表現為膜層附著力強、繞射性好，能夠實現複雜工件表面的均勻覆蓋。該技術已形成磁控濺射離子鍍膜、高功率脈衝磁控濺射（HIPIMS）等分支工藝，在裝飾鍍膜領域套用於手錶殼體、五金配件等製品的表面處理，在工具...
- 物理氣相沉積
離子鍍膜的基本特點是採用某種方法（如電子束蒸發磁控濺射，或多弧蒸發離化等）使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產生轟擊，適當降低負偏壓後使離子進而沉積於基體成膜，適用於高速鋼工具，熱鍛模等材料的表面處理過程。離子鍍膜的優點如下：①膜層和基體結合力強，反應溫度低。②...
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本項目針對面向電漿材料鎢，提出一種高脈衝偏壓磁控濺射技術在石墨或CFC基體上製備單一鎢(W)塗層和梯度W塗層，通過工藝來控制W塗層顯微結構與本徵應力，緩解殘餘應力，提高塗層結合強度。實驗深入研究塗層厚度，探索塗層顯微結構、本徵應力與工藝之間的規律，建立顯微結構與高熱負荷下的熱衝擊及熱疲勞性能之間的關聯...
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