HBM4E

HBM4E是第四代高頻寬記憶體技術的增強版本，主要套用於人工智慧、高性能計算及數據中心領域。該技術採用32GbDRAM裸片，通過16層垂直堆疊實現單堆疊64GB容量，數據傳輸率達10Gbps，配合2048位記憶體接口可實現2.56TB/s頻寬，較前代HBM4提升25%。其核心突破包括支持邏輯晶片定製化，整合台積電N5製程工藝製造基礎晶片，並套用混合鍵合技術最佳化信號傳輸效率。

三星電子在2025年IEEE ISSCC會議上公布HBM4E技術路線圖，計畫2026年啟動量產。美光科技披露HBM4E工藝進展，預計2026年後投入大規模生產，SK海力士則計畫在2026年下半年推出首批定製化產品。該技術將套用於英偉達2027年發布的Rubin Ultra AI GPU，支持12個HBM4E堆疊配置，單加速器記憶體容量可達768GB。三星與台積電合作開發無緩衝HBM4E，採用CoWoS封裝技術提升熱管理效能，同時通過TC-NCF工藝實現12層以上堆疊生產。

基本介紹

• 外文名：HBM4E
• 發布單位：三星

發展歷史

2025年2月24日，據韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態電路會議現場的採訪，三星電子在本次會議上公布了其HBM記憶體路線圖，分享了預設的性能參數目標。2025年12月，三星電子對HBM開發團隊進行組織調整，撤銷DS部門下的獨立團隊，整體併入DRAM開發室，原負責人孫永洙轉任設計團隊負責人。調整後團隊將聚焦HBM4E產品的設計最佳化與工藝驗證，並計畫通過整合至DRAM開發體系提升製程協同與技術疊代效率。此次重組預計於當周完成，公司將在下月初召開全球戰略會議審議2026年業務規劃。

產品簡介

在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時將單堆疊容量擴展至 64GB，而後者意味著 HBM4E 的整體頻寬將達 HBM4 的 1.25 倍。

基於與英偉達、AMD、博通等科技企業的長期合作基礎，三星HBM4E記憶體的研發與驗證獲得產業鏈支持。

下游套用方面，HBM4E 記憶體有望被英偉達 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 採用。Rubin Ultra 支持 12 個 HBM4 (E) 堆疊，這意味著單加速器記憶體容量有望達到驚人的 768GB。

三星近期通過將HBM開發團隊整合至DRAM開發體系，旨在加速下一代產品的設計最佳化與工藝驗證流程，預計本周完成組織調整並審議明年業務規劃，為HBM4E的量產導入奠定基礎。