HBM4是JEDEC固態技術協會於2025年4月16日通過JESD270-4規範確立的高頻寬記憶體第四代標準，主要面向人工智慧、高性能計算及高端顯示卡套用。該標準採用2048位接口，傳輸速率8Gb/s，總頻寬2TB/s，支持4/8/12/16層DRAM堆疊，單堆疊最大容量64GB，通道數量增至32個，並引入0.7V-0.9V VDDQ電壓與1.0V-1.05V VDDC電壓選項，採用1c nm工藝製程。同時搭載DRFM定向刷新管理功能以提升安全性與RAS表現。
三星、SK海力士和美光等廠商已推進樣品開發並公布量產計畫。SK海力士發布的12層堆疊樣品運行速度超10Gbps，頻寬達2TB/s，能效提升40%。美光於2025年交付的11Gbps HBM4樣品實現2.8TB/s頻寬。三星電子於2025年12月4日宣布已完成HBM4的內部測試流程，等待客戶認證。SK海力士於2025年12月16日宣布推出HBM4 16層堆疊產品。韓國媒體於2025年12月22日報導三星HBM4在英偉達測試中得分最高。英偉達等企業正探索GPU核心植入HBM技術，2025年11月26日，英偉達與Meta、三星電子、SK海力士宣布合作探討將GPU核心植入HBM存儲器的技術方案。
2026年2月，三星和SK海力士將開始量產HBM4。
基本介紹
- 外文名：HBM4
- 所屬品牌：三星
發展歷程,規格參數,
發展歷程
2025年9月，SK海力士宣布完成全球首個HBM4工程樣品驗證，該產品將支持英偉達和AMD的新一代AI加速平台。2025年10月27日至31日，三星將在2025年三星科技展上發布第六代12層HBM4，並計畫於2025年晚些時候量產。2025年11月26日，英偉達與Meta、三星電子、SK海力士宣布合作探討將GPU核心植入HBM存儲器的技術方案。同期，三星2025年第二季度全球HBM市場份額下降至第三位，TrendForce預測其2026年全球HBM市占率有望突破30%。2025年12月4日，三星電子宣布已完成HBM4的內部測試流程，若獲得包括英偉達在內的主要客戶質量認證（預計本月公布結果），將正式啟動HBM4量產。
2025年12月5日，三星電子撤銷原DS部門下的HBM開發團隊，相關人員整體併入DRAM開發室下屬的設計團隊，原負責人孫永洙被任命為設計團隊負責人，調整後團隊將聚焦HBM4、HBM4E的設計最佳化與工藝驗證。2025年12月16日，SK海力士在SKAI Summit 2025峰會上宣布推出HBM4 16層堆疊產品，並計畫從HBM4E開始供應定製化HBM解決方案。SK海力士表示已收到定製HBM請求。三星和SK海力士計畫在2026年上半年完成HBM4e的開發。Meta和英偉達探討在HBM基底晶片中嵌入GPU核心的方案。技術路徑方面，三星電子使用自家代工廠工藝製造HBM4基底晶片，SK海力士使用台積電代工工藝。2025年12月22日，韓國媒體報導稱三星HBM4在英偉達測試中得分最高。2026年2月15-19日，三星將在ISSCC 2026國際固態電路會議上展示36GB容量且頻寬達3.3TB/s的HBM4。
2026年2月，三星和SK海力士將開始量產HBM4。
HBM4
規格參數
HBM4記憶體採用兩倍寬度的2048-bit接口，傳輸速率達8Gb/s，總頻寬提升至2TB/s。三星在2026 ISSCC展示的工程樣本實現3.3TB/s頻寬和36GB單堆疊容量。標準支持4/8/12/16層DRAM堆疊，單堆疊最大容量64GB，採用1c nm工藝製程，相較於HBM3/HBM3E系列使用的1a nm工藝實現了工藝代際跨越。
HBM4將每個堆疊的獨立通道數量增加了一倍，從HBM3時期的16個翻倍到32個；電壓方面，VDDQ可為0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，VDDC可為1.0V或1.05V。SK海力士發布的12層堆疊樣品運行速度超10Gbps，頻寬達2TB/s，能效提升40%。
安全方面，HBM4擁有DRFM定向刷新管理功能，這改進了對row-hammer攻擊的緩解效果，擁有更優秀的RAS表現。
美光於2025年交付的11Gbps HBM4樣品實現2.8TB/s頻寬。
