基本介紹
- 中文名：HBM2e顯存
- 外文名：HBM2e
- 產品類型：高頻寬存儲器
- 上市時間：2020年
技術定義,發展歷程,技術規格,技術優勢,套用產品,市場與競爭,
技術定義
HBM2e（也稱HBM2E）是HBM（高頻寬記憶體）技術演進中的一個標準版本，由JEDEC固態技術協會發布的標準JESD235C定義。相比前代HBM2，其針腳頻寬提升至3.2Gbps，數據傳輸速率提升約25%至60%。HBM2e的單Die最大容量為2GB，單堆疊最多可集成12個Die，即最大容量為24GB，匹配1024bit位寬。單堆疊理論最大頻寬為410GB/s；工作電壓為1.2V。
通過四堆疊（4096bit位寬）配置，HBM2e可實現高達1.64TB/s的總頻寬和最大96GB的容量。
發展歷程
HBM顯存技術最早於2015年在AMD Fury系列顯示卡上實現首次商用。2018年，第三代HBM2E產品的最高數據傳輸速率已達到3.6Gbps。2020年，JEDEC推出HBM2e規範（JESD235C），該標準最早由三星及SK海力士提出。根據規範，其針腳頻寬提升至3.2Gbps，單堆疊最大容量24GB（理論頻寬410GB/s），採用四堆疊時總容量可達96GB（理論頻寬1.64TB/s），工作電壓為1.2V。同年，三星率先推出了容量可達96GB的HBM2e產品。同為2020年，美光在財報會議上否認放棄HBM市場競爭，並宣布將於年底前推出相關HBM產品，業界推測其為HBM2e。2020年7月，SK海力士開始批量生產HBM2E DRAM。
2025年底，美光宣布推出其新一代HBM3E產品。進入2026年，HBM2e技術仍在高端AI晶片中得到套用，例如阿里平頭哥於2026年1月發布的“真武810E”AI晶片即採用了96GB HBM2e顯存。
技術規格
根據JEDEC的HBM2e規範，其針腳頻寬為3.2 Gbps。單Die最大容量為2GB，單堆疊最大可集成12個Die，從而提供24GB的最大容量，並匹配1024bit的位寬。在此配置下，單堆疊的理論最大頻寬可達410 GB/s。對於支持四堆疊（總計4096bit位寬）的晶片，總容量可達96GB，總理論頻寬高達1.64 TB/s。HBM2e的工作電壓為1.2V。
技術優勢
HBM2e顯存相比廣泛套用的GDDR顯存，在頻寬、性能及能效上具有顯著領先優勢。
根據JEDEC的JESD235C規範，其針腳頻寬提升至3.2Gbps，較前代HBM2標準提升25%到60%。單堆疊（1024bit位寬）理論最大頻寬可達410GB/s，四堆疊配置下總頻寬高達1.64TB/s，容量最高可達96GB。
在功耗方面，HBM2e的工作電壓為1.2V，較第一代HBM的1.35V有所下降，有助於降低整體功耗。
其高頻寬與大容量的特性，尤其適合人工智慧（AI）訓練與推理等高性能計算場景。例如，96GB的大顯存能夠精準應對大模型訓練的顯存瓶頸，顯著提升單晶片的模型承載能力和推理吞吐量。
套用產品
阿里平頭哥於2026年1月發布的自研AI晶片“真武810E”（PPU）集成了96GB HBM2e顯存，片間互聯頻寬達700GB/s，用於AI訓練、推理及自動駕駛等場景。
英偉達基於Hopper架構的H100 GPU的PCIe版本配備80GB HBM2e顯存，且其可能開發配備120GB HBM2e顯存的版本。英偉達A100 PCIe GPU加速器也採用了80GB HBM2e顯存。
市場與競爭
HBM2e標準最早是三星及SK海力士提出的，現在成了國際標準，這兩家也是最早推出產品的。美光身為第三大記憶體晶片廠商，一直沒有推出HBM顯存，但否認放棄HBM競爭，表示不會退出HBM市場，並計畫在2020年底前推出相關的HBM顯存。美光在2025年推出了新一代HBM3E產品，顯示其在HBM市場的持續投入。
HBM顯存從2015年首發後，因成本太高、產量太少，普及速度較慢。
HBM2e被套用於高端AI晶片中，例如阿里平頭哥的“真武810E”晶片採用96GB HBM2e顯存，英偉達Hopper H100 GPU也採用HBM2e顯存，推動廠商加大HBM產品投入。
