HBM3E

HBM3E是SK海力士開發的第五代高頻寬記憶體（HBM），具備高頻寬、低功耗等技術優勢，廣泛套用於AI伺服器、GPU等高性能計算領域。2023至2024年間，AMD、英偉達、微軟和亞馬遜等科技巨頭競相採購該產品，SK海力士成為全球唯一大規模生產HBM3E晶片的廠商。截至2025年，其8層和12層HBM3E產品已向英偉達獨家供應，2025年產能已全部售罄。光大證券預計，HBM市場需求將持續增長，並帶動存儲產業鏈發展。

2025年6月12日報導，三星未通過英偉達第3次HBM3E認證。

基本介紹

• 類型：高頻寬記憶體晶片
• 推出時間：2024年3月 
• 技術特性：3D堆疊工藝 
• 套用領域：AI伺服器、GPU 
• 競爭廠商：三星、美光  
• 市場份額：2024年第三季度超50% 

技術背景

HBM（高頻寬記憶體）通過堆疊多個DDR晶片並與GPU封裝，形成大容量、高位寬的記憶體陣列。HBM3E作為HBM3的下一代產品，進一步最佳化數據傳輸速率和能效比，滿足AI領域對高性能記憶體的需求。

研發與生產

SK海力士於2024年3月啟動HBM3E大規模生產並向英偉達供貨，同年9月提前量產12層堆疊版本。截至2025年，其開發的8層、12層HBM3E均為英偉達獨家供應產品。SK海力士於2024年3月向英偉達供應8層HBM3E產品，並計畫在2024年9月量產12層HBM3E。

市場需求

光大證券指出，2023至2024年高端AI伺服器需求推動HBM市場增長，華金證券和光大證券均建議關注存儲產業鏈相關標的。SK海力士2024年HBM3E產能預訂一空，客戶追加需求，預計2025年市場規模超20億美元。

廠商動態

美光2024年2月稱其HBM3E功耗比競品低30%，三星同期計畫上半年量產12層HBM3E。SK海力士計畫於2024年3月開始大規模生產HBM3E。SK海力士社長金柱善表示，2024年第三季度HBM3E出貨量將超越HBM3，並計畫2025年推出HBM4產品。

2025年6月12日報導，三星未通過英偉達第3次HBM3E認證，計畫2025年9月重新認證。