CVD(Current and voltage detection）電流電壓檢測。
CVD概述 編輯 腦血管疾病,英文全稱,cerebrovascular disease。腦血管疾病是發生在腦部血管,因顱內血液循環障礙而造成腦組織損害的一組疾病。我們生活中所講的“腦血管...
CVD,化學氣相澱積,指高溫下的氣相反應。...... CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱,是指高溫下的氣相反應,例如,金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解,氫...
CVD(Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積)金剛石。含碳氣體(如甲烷)和氫氣的混合物在高溫和低於標準大氣壓的壓力下被激發分解,形成等離子態碳原子,並在基體上沉積...
CVD 含義 碟片標準 英文全稱 China Video Disk 特點 具有多層選單 曾經在VCD機生產商競爭的年代,內部定製的一種碟片標準,具有多層選單,用的C-CUBE公司的晶片...
目前採用HT-CVD 技術生產的硬質塗層材料主要有:TiC、TiN、TiCN、Cr7C3、TiBN、Al2O3 等單塗層和它們的複合塗層材料。高溫化學氣相沉積工藝過程包括工件沉積前處理...
MT-CVD硬質徐層工藝技術,在20世紀80年代中期就已問世,但在當時並沒有引起人們的重視,直到20世紀90年代中期,世界上主要硬質合金工具生產公司,利用HT-CVD和MT-CVD...
CVD鑽石,是一種由直徑10到30納米鑽石晶體合成的多結晶鑽石。...... 1954年,人造鑽石首次成功合成,當時,一批美國CVD鑽石公司的研究員在實驗室里製造出一顆鑽石,他們...
中央別墅區(Central Villa District),英文縮寫為CVD。它的形成主要是因為人們對居住要求不斷的提高。...
長帝CVD-25是一款電烤箱 ,產品容量為25L。...... 長帝CVD-25是一款電烤箱 ,產品容量為25L。中文名 長帝CVD-25 品牌 長帝 型號 CVD-25 產品容量 25L ...
CVD SiC塗層就是採用化學氣相沉積(CVD)方法製備SiC塗層。...... CVD SiC塗層主要套用於碳碳複合材料、碳陶複合材料、石墨、以及高溫結構件、耐腐結構件等。...
method SiC fiber reinforced intermetallic compound matrix composite CVD碳化矽連續纖維增強金屬間化合物基體的金屬基複合材料。...
CVD(Current and voltage detection)電流電壓檢測。 ...... CVD(Current and voltage detection)電流電壓檢測。V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:3次...
為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了電漿的活性來促進反應,因而這種CVD稱為電漿增強化學氣相沉積(PECVD).實驗機理:是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成...
化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法,是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數...
PCVD與傳統CVD技術的區別在於電漿含有大量的高能量電子,這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激活能,從而改變了反應體系的能量供給方式。由於電漿中的...
因PVD法未超過高速鋼本身的回火溫度,故高速鋼刀具一般採用PVD法,硬質合金大多採用CVD法。硬質合金用CVD法塗層時,由於其沉積溫度高,故塗層與基體之間容易形成一層...
金剛石膜是指用低壓或常壓化學氣相沉積(CVD)方法人工合成的金剛石膜。金剛石膜的製備方法有熱化學氣相沉積(TCVD)和電漿化學氣相沉積(PCVD)兩大類。...
化學氣相沉積CVD (Chemical Vapor Deposition)化學氣相澱積是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑引入反應室,在晶圓表面發生化學反應,從而生成所需的固態薄膜並澱積在其表面...
化學氣相澱積[CVD(Chemical Vapor Deposition)],指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的...
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...
2.3 CVD反應過程3 化學氣相沉積熱力學分析4 化學氣相沉積反應物質源4.1氣態物質源4.2液態物質源4.3固態物質源5 化學氣相沉積塗層質量影響因素...
化學氣相沉積(簡稱CVD)是利用氣態物質在一定溫度下於固體表面進行化學反應,並在其表面上生成固態沉積膜的過程。其過程如下:①反應氣體向工件表面擴散並被吸附;...
採用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化矽薄膜也是用低壓CVD法,利用氨和SiH4 或Si2H6反應面生成的,作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的溫度下...
低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD),是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍,鍍性能好、塗層...