矽柵自對準工藝

矽柵自對準工藝

矽柵自對準工藝(silicon gate self-aligned technology) 是製作矽柵場效應電晶體的一種新工藝。自對準工藝是先在生長有柵氧化膜的矽單晶片上澱積一層多晶矽,然後在多晶矽上刻蝕出兩個擴散視窗,雜質經視窗熱擴散到矽單晶片內,形成源和漏擴散區,同時形成導電的多晶矽柵電極,其位置自動與源和漏的位置對準。

基本介紹

  • 中文名:矽柵自對準工藝
  • 外文名:silicon  gate  self-aligned  technology
  • 製作:矽柵場效應電晶體
  • 目的:減小柵電容、降低閾儀電壓
  • 別稱:擴散自對準工藝
  • 學科:電子工程
簡介,工藝流程,優點,

簡介

在製作通常的金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體時,至少要進行兩次光刻:第一次是在二氧化矽膜上刻蝕出“源”和“漏”的擴散窗;第二次是在晶片上生長新的二氧化矽層之後,刻蝕出“柵”區的位置。由於柵極在“源”和“漏”之間,而“源”和“漏”之間的距離很小(總是希望越小越好,以提高頻率),因此,在進行第二次光刻時,就必須和第一次光刻掩膜的位置精確對準,否則,做出來的柵極(鋁柵)就可能和“源”或“漏”銜接不上,電晶體無法工作。為了避免這一現象,第二次光刻時,便有意識地將柵極的寬度留得稍大些,使柵極的兩邊能覆蓋上一點“源”區和“漏”區。但是,這樣一來,就使柵電容增大,電晶體的閾值電壓提高,開關速度降低。

工藝流程

矽柵自對準工藝是:先在一塊有二氧化矽膜的單晶矽片上澱積一層多晶矽,然後在多晶矽上刻蝕出兩個擴散視窗。當雜質經兩視窗擴散到單晶矽內形成“源”和“漏”的同時,多晶矽“柵”極(矽柵)也就自動形成了。因為此工藝過程只需一次光刻,就可同時形成“源”、 “漏”、 “柵”,而且柵極的位置是隨著刻蝕。“源”、“漏”。的擴散視窗而自動與“源”、“漏”的位置對準的,因而稱為矽柵自對準工藝,有時也稱為擴散自對準工藝。

優點

矽柵除了使閾值電壓降低外,還具有可經受其後的高溫工藝的優點,這也是鋁柵所不能相比的.如果實現柵極自對準,則其上又可多做一層互連引線,這樣不僅可提高電路速度,而且也提高了電路的集成密度,增大了版圖設計的靈活性。
矽柵工藝由於柵氧化生長後立即生長多晶矽,然後又覆蓋一厚氧化膜才開窗孔,避免了鋁柵MOS中在柵氧化後進行刻孔所帶來的針孔和引入的沾污,從而可大大提高電路的成品率和可靠性
矽柵自對準工藝的優點是過程簡單(只需一次光刻),“柵”和“源”、“漏”的位置能自動鋁柵精確對準,從而可達到減小柵電容、降低閾儀電壓、大大提高電晶體的開關速度的目的。

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