濕法刻蝕

是一種刻蝕方法，主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等

濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。簡單來說，就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念，它是一種純化學刻蝕，具有優良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由於所有的半導體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近於垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質量地完成圖形轉移和複製的工作，因此隨著特徵尺寸的減小，在圖形轉移過程中基本不再使用。

目前，濕法刻蝕一般被用於工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環節，而在圖形轉移中乾法刻蝕已占據主導地位。