（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型電晶體，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。
基本介紹
- 中文名：源極
- 外文名：Field Effect Transistor
物質介紹,結構原理,
物質介紹
（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型電晶體，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
（a） （b）
（c）
結構原理
如圖所示
，在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），在N型半導體的兩端各引出一個電極，分別稱為源極（s）和漏極（d）。它們分別與三極體的基極（b）、發射極（e）和集電極（c）相對應。夾在兩個P+N結中間的N區是電流的通道，稱為導電溝道（簡稱溝道）。這種結構的管子稱為N溝道結型場效應管，它在電路中用圖XX_01(b)所示的符號表示，柵極上的箭頭表示柵、源極間P+N結正向偏置時，柵極電流的方向（由P區指向N區）。
實際的JFET結構和製造工藝比上述複雜。N溝道JFET的剖面圖如圖XX_01(c)所示。圖中襯底和中間頂部都是P+型半導體，它們連線在一起（圖中未畫出）作為柵極g。分別與源極s和漏極d相連的N+區，是通過光刻和擴散等工藝來完成的隱埋層，其作用是為源極s、漏極d提供低阻通路。三個電極s、g、d分別由不同的鋁接觸層引出。
如果在一塊P型半導體的兩邊各擴散一個高雜質濃度的N+區，就可以製成一個P溝道的結型場效應管。上圖給出了這種管子的結構示意圖和它在電路中的代表符號。由結型場效應管代表符號中柵極上的箭頭方向，可以確認溝道的類型。共源極放大電路：
（a） （b）
圖XX_01
1．中頻電壓增
益
場效應管的輸出電阻rd通常在幾百千歐數量級，比電阻Rd、RL大得多，因此可將rd作開路處理，於是圖XX_01(b)中 式中負號表示共源極放大電路的輸出電壓與輸入電壓相位相反，即共源放大電路屬於反相電壓放大電路。
2．輸入電阻
由於場效應管柵極幾乎不取信號電流，柵源極間的交流電阻可視為無窮大，因此，圖XX_01所示共源極放大電路的輸入電阻為
3．輸出電阻
套用前面介紹過的求放大電路輸出電阻的方法，可求得圖XX_01所示電路的輸出電。
由上述分析可知，與
