漏極

漏極

漏極,柵極(Gate——G,也叫做門極),源極(Source——S), 漏極(Drain——D)場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。

基本介紹

  • 中文名:漏極
  • 外文名:drain
  • 電晶體:是由兩種極性的載流子
  • 易於集成:沒有二次擊穿現象
  • 夾著一層:低摻雜的N區(N區一般做得很薄)
簡介,N型導電溝道結型場效應管的電路符號,開漏形式電路的特點,

簡介

一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型電晶體,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
在兩個高摻雜的P區中間,夾著一層低摻雜的N區(N區一般做得很薄),形成了兩個PN結。在N區的兩端各做一個歐姆接觸電極,在兩個P區上也做上歐姆電極,並把這兩P區連起來,就構成了一個場效應管。
封裝示意封裝示意

N型導電溝道結型場效應管的電路符號

將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在N型矽片兩端各引出一個電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區稱為導電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器。
柵極簡稱為G,源極簡稱為S,漏極簡稱為D。

開漏形式電路的特點

1.利用外部電路的驅動能力,減少IC內部的驅動, 或驅動比晶片電源電壓高的負載。  
2.可以將多個開漏輸出的Pin,連線到一條線上。通過一隻上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關係。這也是I2C,SMBus等匯流排判斷匯流排占用狀態的原理。  
3.由於漏級開路,所以後級電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進行任意電平的轉換了。  
4.源極開路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點,就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電,所以當電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求,則建議用下降沿輸出。

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