快速退火工藝

RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理，是在非常短的時間內將整個矽片加熱至400~1300℃溫度範圍內的一種方法，相對於爐管退火，它具有熱預算少，矽中雜質運動小，玷污小和加工時間短等特點。

基本介紹

• 中文名：快速退火工藝
• 外文名：Rapid Thermal Processing
• 簡稱：RTP
• 設備：快速退火爐

工藝簡介

退火：往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發生位移，結果造成大量的空位，將使得注入區中的原子排列混亂或者變成為非晶區，所以在離子注入以後必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷。同時，退火還有激活施主和受主雜質的功能，即把有些處於間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置。

RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理，是在非常短的時間內將整個矽片加熱至400~1300℃濕度範圍內的一種方法，相對於爐管退火，它具有熱預算少，矽中雜質運動小，玷污小和加工時間短等特點。

設備介紹

台灣快速退火爐分為科研型和生產型，科研型快速退火爐e1200、CT100M、CT150M三種型號系統專用於科學研究。適用於Si, Ge, Si/Ge, GaAs, InP及其他半導體材料的熱處理工藝。

快速退火爐CT100M/150M

技術特點

● 多重燈管設計以保證溫度均勻

● 實時閉環溫度控制方式

● 實時燈絲電流監測以保證工藝穩定可靠性

● 安全監測，包括熱偶測溫檢測、過熱檢測、燈絲電流檢測

● 中英文用戶操作界面，使用非常簡便

● 軟體全自動控制工藝過程，操作簡單，包括用戶分級使用許可權管理

● 選單編輯、工藝數據記錄/查找、報警/報錯、用戶狀態等功能

套用領域

● 離子注入後退火/活化

● 金屬合金化，砷化稼電極合金化

● 磷矽酸鹽玻璃/硼磷玻璃回流

● 溝道氧化

● 柵介質形成

● 多晶矽退火

● 鈦矽化物/矽化物/氮化物退火銅銦鎵硒光伏套用中的硒沉積