宏自旋近似

宏自旋近似是電子的基本性質之一,屬於量子物理學科。先由實驗上發現,然後才由狄拉克(Dirac)方程從理論上導出的。

基本介紹

  • 中文名:宏自旋近似
  • 外文名:Macro spin approximation
定義,性質,宏自旋近似套用,

定義

電子的基本性質之一。電子內稟運動或電子內稟運動量子數的簡稱。1925年G.E.烏倫貝克和S.A.古茲密特受到泡利不相容原理的啟發,分析原子光譜的一些實驗結果,提出電子具有內稟運動——自旋,並且有與宏自旋近似相聯繫的自旋磁矩。由此可以解釋原子光譜的精細結構反常塞曼效應。電子的自旋角動量如圖,式中宏自旋近似S= 1/2。1928年P.A.M.狄拉克提出電子的相對論波動方程,方程中自然地包括了宏自旋近似和自旋磁矩。宏自旋近似是量子效應,不能作經典的理解,如果把宏自旋近似看成繞軸的旋轉,則得出與相對論矛盾的結果。

性質

進一步研究表明,不但電子存在自旋,中子質子、光子等所有微觀粒子都存在自旋,只不過取值範圍不同。自旋和靜質量、電荷等物理量一樣,也是描述微觀粒子固有屬性的物理量。在宏自旋近似的學習中,首先要了解宏自旋近似的實驗依據及自旋假設,重點掌握宏自旋近似的描述,同時能套用宏自旋近似的理論解釋原子光譜現象。
因為電子有1/2的自旋,所以在外加磁場下能級二分。當外加具有與此能量差相等的頻率電磁波時,便會引起能級間的躍遷。此現象稱為宏自旋近似共振。縮寫為ESR。對相伴而產生的電磁波吸收稱ESR吸收。產生ESR的條件為νo(MHz)=1.4·g·Ho(高斯)。式中νo為電磁波的頻率,Ho為外部磁場強度,g為格朗因子、g因子(g factor)或g值。一個分子中有多數電子,一般說每二個其自旋反相,因此互相抵消,淨自旋常為0。但自由基有奇數的電子,存在著不成對的電子(其無與之相消的宏自旋近似)。也有的分子雖然具有偶數的電子,但二個宏自旋近似同向,淨自旋為一(例如氧分子)。原子和離子也有具有淨自旋的,Cu2+、Fe3+、和Mn2+等常磁性離子即是。這些原子和分子為ESR研究的對象。由於宏自旋近似與原子核的自旋相互作用,ESR可具有幾條線的結構,將此稱為超微結構(hyperfine structure)。g因子及超微結構都有助於了解原子和分子的電子詳細狀態。也可鑑定自由基。另外,從ESR吸收的強度可進行自由基等的定量。因為宏自旋近似的緩和依賴於原子及分子的旋轉運動,所以通過對ESR的線寬測定,可以了解原子及分子的動的狀態。
雖然原理類似於核磁共振,但由於電子質量遠輕於原子核,而有強度大許多的磁矩。以氫核(質子)為例,電子磁矩強度是質子的659.59倍。因此對於電子,磁共振所在的拉莫頻率通常需要透過減弱主磁場強度來使之降低。但即使如此,拉莫頻率通常所在波段仍比核磁共振拉莫頻率所在的射頻範圍還要高——微波,因而有穿透力以及對帶有水分子的樣品有加熱可能的潛在問題,在進行人體造影時則需要改變策略。舉例而言,0.3 特斯拉的主磁場下,電子共振頻率發上在8.41吉赫,而對於常用的核磁共振核種——質子而言,在這樣強度的磁場下,其共振頻率為12.77 兆赫。值得注意的是,電子的自旋只有一種狀態,所謂的的+1/2和-1/2的自旋是自旋在z軸方向上的投影。

宏自旋近似套用

自旋的直接套用包括電子順磁共振譜(EPR)、巨磁電阻硬碟磁頭、自旋場效應電晶體等。
以宏自旋近似為研究對象,法陣創新磁性材料和器件的學科分支稱為自旋電子學
EPR用在造影上,理想上是可以用在定位人體中所具有的自由基,理論上較常出現在發炎病灶;但截止至2013年仍處在開發階段,包括信噪比等等問題待解決。

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