《半導體物理基礎》是2010年8月30日科學出版社出版的圖書，作者是黃昆、韓汝琦。本書主要講述了與電晶體、積體電路等所謂矽平面器件有關的半導體物理基礎。
基本介紹
內容簡介,目錄,前言,
內容簡介
本書是黃昆先生重要著作，作為經典文庫叢書再次出版。
目錄
前言
第1章 摻雜半導體的導電性
1.1 摻雜和載流子
1.2 電導率和電阻率
1.3 遷移率
1.4 測量電阻率的四探針方法
1.5 擴散薄層的方塊電阻
第2章 能級和載流子
2.1 量子態和能級
2.2 多子和少子的熱平衡
2.3 費米能級
2.4 電子的平衡統計分布規律
2.5 非平衡載流子的複合
2.6 非平衡載流子的擴散
第3章 pn結
3.1 pn結的電流一電壓關係
3.2 空間電荷區中的複合和產生電流
3.3 電晶體的電流放大作用
3.4 高摻雜的半導體和pn結
3.5 pn結的擊穿
3.6 pn結的電容效應
3.7 金屬一半導體接觸
第4章 半導體表面
4.1 表面空間電荷區及反型層
4.2 MIS電容器——理想C（V）特性
4.3 實際MIs電容器的c（V）特性及套用
4.4 矽一二氧化矽系統的性質
4.5 MOs場效應電晶體
4.6 電荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和間隙原子
5.3 位錯
5.4 層錯
5.5 相變和相圖
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前言
近年來，半導體科學技術在許多方面都有了深入的發展，並逐漸形成了若干分支。雖然各分支之間有共同的半導體物理基礎，但是各自的側重點和具體要求很不相同。本書主要講述與電晶體、積體電路等所謂矽平面器件有關的半導體物理基礎。第1章、第2章介紹半導體的一般原理，但內容著重於矽平面器件，對一些微觀理論只作淺顯的介紹。在第3章、第4章中對pn結和半導體表面的物理原理以較大篇幅進行了具體而深入的分析。第5章儘量結合半導體實際，介紹有關晶體和缺陷的基礎知識。
在本書編寫過程中，許多工廠、科研單位和高等學校的同志熱情地向我們介紹經驗，提供資料，並對寫法提出寶貴建議。這對我們的工作是很大的啟發和幫助，在此一併表示衷心的感謝。
由於我們經驗和水平有限，書中難免有不妥之處，誠懇地希望讀者批評指正。
