基本介紹
人物經歷,教學情況,學術研究,發表的學術論文,發表書籍內容,
人物經歷
教學情況
1. 近五年來講授的主要課程：
⑴《半導體器件物理與實驗》（1） 專業基礎課 4學時/周 4屆 350人
⑵《半導體器件物理與實驗》（3） 專業基礎課 3學時/周 2屆 150人
⑶《半導體物理》 研究生專業基礎課 3學時/周 5屆 500人
⑷《半導體器件物理》 研究生專業基礎課 3學時/周 5屆 500人
2.承擔的實踐性教學：
畢業設計/論文20人
3. 主持的教學研究課題
1) 主編《半導體器件物理》教材（修訂版） 科學出版社十五教材建設項目（2008年年底出版）
2) 《半導體器件物理與實驗》精品課程建設，吉林大學，四年，課程負責人
3) 《半導體器件物理與實驗》精品課程建設，吉林省，四年，課程負責人
4. 出版的教材
《半導體器件物理》，主編，（41.8萬字），科學出版社，2005年1月，第一次印刷；2005年7月，第二次印刷,2006年3月第三次印刷。
學術研究
學術研究課題
（1）新型結構高活性納米TiO2 可見光催化劑製備，國家自然科學基金委員會（批准號：50472035），(項目負責人，3年)
（2）HVPE方法製備GaN多晶薄膜及GaN藍色與紫外發光管，合作項目，與北京大學“寬禁帶半導體研究中心”合作， (項目負責人，3年)
（3）立方氮化硼單晶半導體特性研究 吉林省科技廳，（主要參加人，3年）
發表的學術論文
（1）聚苯胺/TiO2/ITO薄膜電極光致界面電荷轉移, Chem. J. Chin. Univ., 2004，第一作者。
（2）Sn4+ 慘雜對TiO2納米顆粒膜光催化降解苯酚活性的影響，Chem. J. Chin. Univ., 2001，第一作者。
（3）Effect of Plasma Treatment on Surface Properties of TiO2 Nonparticulate Films, Colloids and Surfaces A,2005,262:181-186 第二作者,指導教師。
(4). Measurement of the linear electro-optic coefficient of a minute cBN sample ，Science in China Ser.E Engineering &Materials Science ，2005，第二作者
（5）Energy Band Structure of Alq3/TCAQ Heterostructure Complex Film Determined by Surface photo-Voltage Spectroscopy Chem. Res. Chin. Univ.,2003 第一作者
發表書籍內容
《半導體器件物理》
本書結合一些基礎的、主要的、常用的半導體器件，介紹了半導體器件的基本結構、主要工藝技術和物理原理。全書內容包括：半導體物理基礎、PN結、金屬-半導體結、結型場效應電晶體、金屬-氧化物-半導體場效應電晶體、半導體太陽電池和光電二極體、半導體發光管和雷射器、集成器件和電荷耦合器件等。
本書可作為高等院校微電子、光電子、電子科學與技術等專業本科生和研究生的教材，也可供有關專業的研究人員和工程技術人員參考。
序言
前言
主要符號表
第一章半導體物理基礎
1.1半導體中的電子狀態
1.2載流子的統計分布
1.3簡併半導體
1.4載流子的散射
1.5 載流子的輸運
1.6 非平衡載流子
第二章 PN結
2.1 熱平衡PN結
2.2 加偏壓的PN結
2.3 理想PN結的直流電流-電壓特性
2.4 空間電荷區的複合電流和產生電流
2.5 隧道電流
2.6 I-V特性的溫度依賴關係
2.7 耗盡層電容求雜質分布和變容二極體
2.8 小信號交流分析
2.9 電荷貯存和反向瞬變
2.10 PN結擊穿
第三章 雙極結型電晶體
3.1 雙極結型電晶體的結構
3.2 基本工作原理
3.3 理想雙極結型電晶體中的電流傳輸
3.4 埃伯斯-莫爾方程
3.5 緩變基區電晶體
3.6 基區擴展電阻和電流集聚
3.7 基區寬度調變效應
3.8 電晶體的頻率回響
3.9 混接π型等效電路
3.10 電晶體的開關特性
3.11 擊穿電壓
3.12 P-N-P-N結構
3.13 異質結雙極電晶體
3.14 幾類常見的HBT
第四章 金屬-半導體結
4.1 肖特基勢壘
4.2 界面態對勢壘高度的影響
4.3 鏡像力對勢壘高度的影響
4.4 肖特基勢壘二極體的電流-電壓特性
4.5 肖特基勢壘二極體的結構
4.6 金屬-絕緣體-半導體肖特基勢壘二極體
4.7 肖特基勢壘二極體和PN結二極體之間的比較
4.8 肖特基勢壘二極體的套用
4.9 歐姆接觸
第五章 結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體
5.1 JFET的基本結構和工作過程
5.2 理想JFET的I-V特性
5.3 靜態特性
5.4 小信號參數和等效電路
5.5 JFET的截止頻率
5.6 夾斷後的JFET性能
5.7 金屬-半導體場效應電晶體
5.8 JFET和MESFET的類型
5.9 異質結MESFET和I-IEMT
第六章 金屬-氧化物-半導體場效應電晶體
6.1 理想MOS結構的表面空間電荷區
6.2 理想MOS電容器
6.3 溝道電導與閾值電壓
6.4 實際MOS的電容-電壓特性
6.5 MOS場效應電晶體
6.6 等效電路和頻率回響
6.7 亞閾值區
6.8 MOS場效應電晶體的類型
6.9 影響閾值電壓的其餘因素
6.10 器件尺寸比例
第七章 太陽電池和光電二極體
7.1 半導體中的光吸收
7.2 PN結的光生伏打效應
7.3 太陽電池的I-V特性
7.4 太陽電池的效率
7.5 光產生電流和收集效率
7.6 提高太陽電池效率的考慮
7.7 肖特基勢壘和MIS太陽電池
7.8 非晶矽(a-Si)太陽電池
7.9 光電二極體
7.10 光電二極體的特性參數
第八章 發光二極體與半導體雷射器
8.1 輻射複合與非輻射複合
8.2 LED的基本結構和工作過程
8.3 LED的特性參數
8.4 可見光LED
8.5 紅外LED
8.6 異質結LED
8.7 半導體雷射器及其基本結構
8.8 半導體受激發射的條件
8.9 結型半導體雷射器的特性
8.10 異質結雷射器
第九章 集成器件
9.1 雙極集成器件的隔離工藝
9.2 積體電路中的無源元件
9.3 雙極型反相器
9.4 集成注入邏輯
9.5 NMOS邏輯門電路
9.6 NMOS存儲器件
9.7 CMOS反相器
9.8 砷化鎵積體電路
第十章 電荷轉移器件
10.1 電荷轉移
10.2 深耗盡狀態和表面勢阱
10.3 MOS電容的瞬態特性
10.4 信息電荷的輸運轉換效率
10.5 電極排列和CCD製造工藝
10.6 體內(埋入)溝道CCD
10.7 電荷的注入、檢測和再生
10.8 集成斗鏈器件
10.9 電荷耦合圖像器件
參考文獻
附錄A 物理常數
附錄B 重要半導體的性質
附錄C矽、鍺和砷化鎵的性質
