動態存儲器

動態存儲器

在指定功能或套用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個套用軟體占用了所有存儲器空間,此時將無法為其他套用軟體分配存儲器空間。 例如,日曆、簡訊息和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設備中的動態存儲器。一般計算機系統使用的隨機存取記憶體(RAM)可分動態隨機存取記憶體(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)兩種,差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維繫數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過程,在上電期間,數據不會丟失。

基本介紹

  • 中文名:動態存儲器
  • 外文名:Dynamic Memory
  • 屬性:存儲器
  • 別稱:DRAM
  • 相關產品:DDR2
  • 相關產品:聯笙電子,晶豪
原理,寫操作時,讀操作時,類別與相關產品,同步,異步,相關產品,優缺點,套用領域,

原理

動態RAM的工作原理 和靜態RAM一樣,動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組成的。 3管動態RAM的基本存儲電路如右圖所示。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀選擇線和寫選擇線也是分開的。
動態存儲器

寫操作時

寫選擇線為"1",所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,並通過柵極電容在一定時間內保持信息。讓我們看一下動態效果。

讀操作時

先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0",正好和原存信息相反;若原存信息為"0",則Q3儘管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為"1"。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相在送往 數據匯流排

類別與相關產品

同步

1:雙倍數據速率2 存儲器 (DDR2)
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 一直以球形格線陣列 (BGA)封裝方式供應。他們具有 3 納秒,甚至 2.5納秒的低循環次數 (Cycle time) ,因此可達到 800 兆赫 (MHz) 的數據速率。反過來,與最初的雙倍數據速率存儲器相比,他們具有較長的等待時間 (Latency) 。不過,雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 速度明顯快於 雙倍數據速率 1 存儲器。4/8 和 16 比特 (bit) 匯流排頻寬情況下,他們的存儲容量範圍從 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。
相關產品:
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
美光 (Micron) :
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
茂德科技 (Promos):
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
三星 (Samsung) :
雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA)
2:雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1)
第一代雙倍數據速率存儲器採用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形格線陣列 (BGA)封裝。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的傳輸速率,存儲容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存儲器需 2.5V的電壓及4,8,16 或 32比特的匯流排頻寬。與雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 的最大區別: 雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存取和等待時間較短。
相關產品:
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特,x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)
森富 (Eorex):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特, x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)
晶豪 (ESMT):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128兆比特 - 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
鈺創 (Etron):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 64 兆比特 - 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA)
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)
蕊成 (ISSI):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
美光 (Micron) :
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
茂德科技 (Promos):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512兆比特,薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA), x8 / x16 / x32 比特 (bit),工業級溫度。
奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)
三星 (Samsung) :
雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)
3:同步動態存儲器 (SDRAM)
同步動態存儲器(簡稱為SDRAMs)以高達 200 MHz的時鐘頻率與匯流排頻率同步運行。它們的存儲容量從 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit),在 4/8/16/32 比特 (bit) 匯流排頻寬下可用。典型工作電壓: 3.3伏。 封裝: BGA(球形格線陣列)或TSOP(薄型小尺寸封裝)。
相關產品:
A-Device:
同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 – 128 兆比特,x16,薄型小尺寸封裝 (TSOP)
聯笙電子 (Amic):
同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 64 兆比特,x16,薄型小尺寸封裝 (TSOP)
同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512 兆比特,x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)
森富 (Eorex):
同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 256 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)
晶豪 (ESMT):
同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
鈺創 (Etron):
同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 256 兆比特,x4 / x 8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)
蕊成 (ISSI):
同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
美光 (Micron) :
同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),工業級溫度。
茂德科技 (Promos):
同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 - 256兆比特,x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA), 工業級溫度。
奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):
同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256 兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)
三星 (Samsung) :
同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) ,工業級溫度
4:移動雙倍數據速率 (Mobile DDR)
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 存儲器的存儲容量範圍從 64 兆比特到1 千兆比特。匯流排頻寬:1.8V 工作電壓下x16 / x32 比特 (bit)。套用領域: 所有移動設備,例如掃瞄器,個人數碼助理 (PDA)、移動數碼助理 (MDA)、攜帶型媒體播放器 (PMP) 、移動電視、數位相機、 MP3 播放器...
相關產品:
Fidelix:
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR),即將上市!
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V,擴展級溫度。
美光 (Micron):
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V,擴展級溫度。
三星 (Samsung):
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V,擴展級溫度。
奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):
移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V,擴展級溫度。
5:移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM)
存儲組件運行和待機電流非常低而容量卻很大,。移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 可與傳統的同步動態存儲器 (SDRAM) 兼容,非常適用於 移動通訊設備。工作電壓:3.3伏,2.5伏甚至低至與移動雙倍數據速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動態存儲器使用較為節省空間的球形格線陣列 (BGA) 進行封裝,接觸區域 在其下面。
相關產品:
聯笙電子 (Amic):
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特, x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),1.8V
森富 (Eorex):
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),3.3V/1.8V
Fidelix:
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 32 兆比特 – 256 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),3.3V/1.8V
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 256 兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V
美光 (Micron):
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64兆比特 – 512 兆比特, x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),1.8V
奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V
三星 (Samsung):
移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),球形格線陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

異步

擴展數據輸出 (EDO) /快速頁面模式 (FPM)
擴展數據輸出動態存儲器/快速頁面模式動態存儲器 (EDO / FPM DRAM)
擴展數據輸出動態存儲器 (EDO) 和快速頁面模式動態存儲器 (FPM) 在價值上並沒有什麼不同,但這無關於技術。它們的存儲容量同樣都從1 兆比特到 64 兆比特 ,匯流排頻寬 x4 / x8 / x16 比特 (bit) 。我們可以提供 3.3V 和5V TSOP (薄型小型封裝) 和SOJ (小型J形引線) 封裝。異步動態存儲器不再大量生產,因此,價格較其它動態存儲器要高。

相關產品

聯笙電子 (Amic)、晶豪 (ESMT)、蕊成 (ISSI):
擴展數據輸出動態存儲器 4兆比特 – 16 兆比特,x16 比特 (bit),小型外線式J形引線 (SOJ) /薄型小尺寸封裝 (TSOP), 3.3V。

優缺點

經驗證,動態存儲器是採用超大容量的存儲技術,但是,其存儲組件要求由處理器控制的刷新周期。它與靜態存儲器等其它存儲技術相比,耗電量相對較高。優點: 跟其它類型的存儲器相比,每兆比特的價格為最低。

套用領域

所有類型的計算機系統、行動電話等移動裝置、數據記錄設備、印表機、控制系統等。

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