海力士

Hynix 海力士晶片生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代記憶體，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。

基本介紹

• 公司名稱：海力士
• 外文名稱：Hynix
• 總部地點：韓國
• 經營範圍：半導體
• 年營業額：266.37億美元（2018年） 
• 縮寫：HY
• 世界500強：第442名 （2018年）
• 年利潤：94.14億美元（2018年） 

歷史沿革

海力士為原來的現代記憶體,2001年更名為海力士。

海力士

2012年更名SK hynix。

海力士半導體在1983年以現代電子產業有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。2012年2月，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家記憶體大廠。

市場概況

市場地位

在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處於第二位，中國市場占有率處於第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。

市場前景

海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開闢已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。

發展過程

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。

2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。

2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社

04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證

02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM

01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模組為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。

2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM

11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM

為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大

05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案

04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2

02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程式上進行合作的契約

2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證

2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)

11月WTO做出判決海力士進口晶片相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協定，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM

10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證契約與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的契約

09月以24層疊晶片(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP

08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM

07月發表企業中長期總體規劃

05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證

04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率

03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表“生態標記(ECO Mark)”與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應契約

與SanDisk就特許商戶許可證契約達成協定及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鐘甲就任新任 代表理事、社長

01月開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模組

2006年創下最高業績及利潤

2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模組，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM

10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路

09月300mm研究生產線下線

03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證

01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計畫(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)

2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM

11月 業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM

07月 提前從企業重組完善協定中抽身而出

04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮

03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤

01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協定

2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協定

08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協定

07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤

06月 簽訂非記憶體事業營業權轉讓協定

03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證

02月 成功開發NAND快閃記憶體

2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU

08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。

07月 宣布在世界上首次發表DDR500

06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證

05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產

04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協定合作生產NAND快閃記憶體

03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM

2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門

10月 開發0.10微米、512MB DDR

08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM

06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶

03月 開發1G DDR DRAM模組

2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM

08月 完成與現代集團的最終分離

07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務‘Hyundai Syscomm’

05月 剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’

剝離網路業務‘Hyundai Networks’

03月 公司更名為“Hynix半導體有限公司”

2000年08月 剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’

04月 剝離電子線路設計業務‘Hyundai Autonet’

1999年10月 合併LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社

03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）

1998年09月 開發64M的DDR SDRAM

1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM

1996年12月 公司股票上市

1989年11月 完成FAB III

09月 開發4M的DRAM

1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）

01月 開發1M的DRAM

1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical”

04月 設立半導體研究院

1985年10月 開始批量生產256K的DRAM

1984年09月 完成FAB II-A

1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保全方針線上舉報公司標誌

企業事件

2013年9月4日下午3點半左右，無錫新區海力士公司的生產車間發生氣體泄漏，引發車間屋頂排氣管洗滌塔管道的保護層著火。無錫消防200多名官兵趕至現場撲救，截至當日18點，明火已全部撲滅。從車間疏散出人員中，1人受輕微外傷，另有10餘人去醫院進行呼吸道檢查，均無大礙。火災發生後，無錫市委主要領導作出批示，市政府和無錫新區領導第一時間趕赴現場組織開展滅火救援，市環保部門迅速組織對企業周邊環境、空氣品質情況進行檢測。火災原因仍在調查中。

2013年9月初發生在無錫新區SK海力士的一場大火已經過去了幾個月，這場大火儘管沒有人員傷亡，但其影響卻很大，比如在國內晶片市場和保險市場方面。

昨日（12月19日），有險企人士向《每日經濟新聞(微博)》記者透露，SK海力士大火報損約10億美元，保險業估損將達9億美元，這將是國內最大的一筆保險賠案。

據《中國保險報》此前報導，SK海力士5家承保公司中各自的份額分別為：現代保險占比50%，人保財險占比35%，大地保險、太平洋產險、樂愛金財險各占5%。

上述險企人士進一步介紹稱，該案件各家保險公司基本上都辦理了再保險，主要涉及的再保險公司包括：韓國再保險、瑞士再保險、慕尼黑再保險等，而這個案例會影響到直保和再保險財險公司的承保利潤，同時也將會導致半導體行業來年費率以及再保險費率的上漲。

SK海力士大火的首席承保人是韓國現代財險，國內的人保財險和太平洋產險等13家公司都險都參與其中。SK海力士火災的最終賠付金額已確認在9億美元，這是國內保險史上的最大一筆理賠案。江蘇省保監局保險財產保險監管處處長王雷介紹，現在的進展情況是正在運行之中，已經預付了大約3億美金。13家大型保險公司都在為這起火災承擔賠付，這也將推高今年企業財產險的相關保費。

2018年5月31日，中國反壟斷機構對三星、海力士、美光位於北京、上海、深圳的辦公室展開突然調查，三大巨頭有礙公平競爭的行為以及部分企業的舉報推動了中國反壟斷機構發起此次調查。

根據美光、三星、海力士財報統計，2017財年，三家公司的半導體業務在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。