動態隨機存儲器

動態隨機存儲器(dynamic random access memory) 採用動態存儲單元的隨機存儲器,簡稱DRAM或動態RAM。

基本介紹

  • 中文名:動態隨機存儲器
  • 外文名:dynamic random access memory
分類,原理,
動態隨機存取存儲器,最為常見的系統記憶體,即DRAM(Dynamic Random Access Memory)。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 關機就會丟失數據。

分類

一般計算機系統使用的隨機存取記憶體(RAM)可分動態(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)兩種,差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維繫數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過程,在上電期間,數據不會丟失。

原理

動態RAM的總體結構和工作原理與靜態RAM(見隨機存儲器)的區別是,存儲矩陣採用了動態存儲單元。靜態觸發器是靠電路狀態的反饋自鎖保存數據,動態存儲單元則是通過在電容上存儲電荷保存數據。
動態存儲單元的電路結構有各種型式,最簡單的一種是圖所示的單管動態存儲單元。
圖1圖1
在寫入數據時字線給出高電平,MOS管VT導通,位線上的電壓信號經VT向電容C充電,將數據存入C中。讀出時字線同樣給出高電平,使VT導通,電容C經VT向位線上的寄生電容CB充電,使位線獲得讀出信號。
動態存儲單元的電路結構簡單,集成度比靜態RAM高得多。但是,電容C上的電荷不可能長久保存,要及時向電容補充電荷,以免數據丟失。為此,在動態RAM中設定了“刷新”控制電路,用於周期性地將存儲矩陣里的數據讀出,經過放大後重新寫入。這不僅增加了控制電路的複雜性,也嚴重地影響了讀/寫速度,使動態RAM的工作速度遠低於靜態RAM。

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