三星990 EVO Plus

三星990 EVO Plus是三星公司於2024年推出的高性能消費級NVMeM.2固態硬碟。它採用三星第八代V-NAND TLC快閃記憶體與5nm自研主控，最高順序讀寫速度分別達7,250MB/s和6,300MB/s，性能較前代顯著提升。該硬碟支持PCIe 4.0×4與PCIe 5.0×2雙模式，兼容性廣泛。其創新的鍍鎳塗層控制器將能效提升約73%，有效控制功耗與發熱。產品提供1TB、2TB和4TB容量選項，搭載Intelligent TurboWrite 2.0技術以最佳化快取性能，並可通過三星魔術師軟體進行管理與維護，享有5年有限質保。

基本介紹

• 中文名：三星990 EVO Plus
• 上市時間：2024年9月

產品簡介

2024年9月，三星電子正式發布了990 EVO Plus固態硬碟。該產品是三星公司生產的高性能NVMe固態硬碟，其順序讀寫速度最高可達7250 MB/s和6300 MB/s，相比前代990 EVO提升約45%。其電源效率相比990 EVO提升了73%，並首次提供了高達4TB的容量選項。產品採用三星第八代V-NAND快閃記憶體與5nm自研主控，支持PCIe 4.0x4及PCIe 5.0x2雙模式，並可通過三星魔術師（Magician）軟體進行管理與最佳化。

規格參數

三星990 EVO Plus固態硬碟的接口類型為PCIe 4.0x4 /PCIe 5.0x2NVMe 2.0，採用M.2 2280外形規格，尺寸為80.15 x 22.15 x 2.38毫米，重量最大為9.0克。產品提供1TB、2TB和4TB三種容量版本選擇。在順序讀寫性能上，2TB與4TB容量的順序讀取速度最高可達7,250 MB/s，1TB容量的順序讀取速度最高為7,150 MB/s，所有容量的順序寫入速度最高均為6,300 MB/s。

其隨機讀寫性能（4KB QD32）因容量而異，1TB版本的隨機讀取最高為850K IOPS，隨機寫入最高為1,350K IOPS；2TB版本的隨機讀取最高為1,000K IOPS，隨機寫入最高為1,350K IOPS；4TB版本的隨機讀取最高為1,050K IOPS，隨機寫入最高為1,400K IOPS。

該固態硬碟在系統級的平均功耗，讀取時約為4.3至5.5瓦，寫入時約為4.2至4.8瓦，待機功耗典型值為60毫瓦。其工作溫度範圍為0至70攝氏度，平均無故障時間（MTBF）為150萬小時，並支持AES 256-bit加密 (Class 0) TCG/Opal IEEE1667。產品提供5年有限保修，保修條件與總寫入位元組數（TBW）相關，1TB、2TB、4TB容量對應的TBW上限分別為600TB、1200TB和2400TB。

技術特點

三星990 EVO Plus支持PCIe 4.0x4與PCIe 5.0x2雙模式，可適配不同平台。為了最大限度地發揮性能，用戶需在Intel或AMD官網確認其系統支持PCIe 4.0或5.0。產品採用三星第八代V-NAND TLC快閃記憶體顆粒，堆疊層數達236層，I/O接口頻寬提升至2400MT/s。其搭載三星自研的5nm工藝主控晶片，並採用鍍鎳塗層設計，有助於提升散熱效率。

該固態硬碟採用DRAM-less（無外置DRAM快取）架構，通過HMB（主機記憶體緩衝）技術調用系統記憶體作為快取。它搭載增強型智慧型TurboWrite 2.0技術，可動態分配SLC快取區域以提升大檔案傳輸時的爆發性能，例如2TB版本的快取容量約為216-226GB。

三星990 EVO Plus的電源效率相比前代990 EVO提升高達73%，在保持高性能輸出的同時實現了更優的功耗控制。

產品兼容性廣泛，支持Windows 10及以上、macOS High Sierra (10.13.6) 及以上、Android 5.1及以上作業系統。用戶可通過三星魔術師（Magician）軟體進行固件更新、性能最佳化和數據遷移。

設計與散熱

三星990 EVO Plus採用了單面PCB（印刷電路板）設計，背面無電子元件，這種設計有助於降低硬碟厚度和發熱，並提升了對於筆記本電腦等空間緊湊設備的兼容性。

在散熱方面，其主控晶片表面採用了創新的鍍鎳塗層設計，官方稱這一設計有助於提升能效和熱控制效率。此外，產品正面貼有散熱標籤，但其覆蓋面積相比前代990 EVO有所減小。

在搭配主機板散熱片的情況下，三星990 EVO Plus 2TB版本在滿載工作時的溫度控制表現良好。例如，在全盤數據讀取測試後，其工作溫度約為50℃；而在功耗更高的全盤寫入測試後，溫度約為66℃。另有測試顯示，在移除散熱馬甲的情況下，硬碟本體峰值溫度可達65℃。

整體而言，三星990 EVO Plus的設計在追求高性能的同時，兼顧了低功耗與低發熱，其單面設計和高效的散熱方案使其對筆記本電腦的續航和穩定性較為友好。

性能表現

三星990 EVO Plus官方標稱最高順序讀寫速度分別為7250 MB/s和6300 MB/s，其中1TB型號順序讀取速度為7150 MB/s。第三方評測中，其實測順序讀取速度約為7200-7300 MB/s，寫入速度約為6100-6300 MB/s。在PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2兩種接口模式下，其順序讀寫性能表現接近。

其官方標稱最高隨機讀寫性能，4TB版本可達1050K IOPS和1400K IOPS，2TB版本為1000K IOPS和1350K IOPS。第三方評測顯示，其在CrystalDiskMark等測試中的4K隨機讀寫性能可達或接近標稱值。較高的隨機讀寫性能有助於滿足高強度多任務處理、遊戲載入等套用場景對快速回響的需求。

該固態硬碟採用Intelligent TurboWrite 2.0技術和無DRAM設計，依賴HMB技術共享主機記憶體作為快取。2TB版本的SLC快取容量實測約為216GB至226GB。在快取容量範圍內，其順序寫入速度可達5000 MB/s至6800 MB/s。當SLC快取用盡後，寫入速度會下降至TLC快閃記憶體的直寫速度，約為1000 MB/s至1500 MB/s。

在PCMark 10存儲基準測試中，其數據盤測試得分可達5786分，頻寬為862.05 MB/s，完整系統盤測試得分約為4267分至4300分，頻寬約為677.32 MB/s至712 MB/s。在3DMark存儲基準測試中，其得分在3528分至4574分之間，平均頻寬約為605.52 MB/s至788.45 MB/s。在實際套用場景測試中，例如遊戲《最終幻想14》的轉場載入時間約為7.2秒，《黑神話：悟空》特定場景載入時間約為19.2秒，《賽博朋克2077》場景載入時間約為15.65秒。在Adobe系列軟體的檔案處理任務中，其傳輸速度可達數百MB/s。

該固態硬碟採用鍍鎳塗層主控和單面PCB設計，有助於提升散熱效率和能效，其官方標稱能效比前代產品提升73%。第三方評測中，在搭配散熱片進行高負載讀寫時，其主控工作溫度約為50℃至76℃。在無額外散熱措施的環境下，其主控溫度可能更高。其相對較低的功耗特性對筆記本電腦的電池續航較為友好。

配套軟體與售後

三星為該固態硬碟提供了三星魔術師（Samsung Magician）軟體，該軟體可用於數據遷移、監控驅動器健康狀態及更新固件，並提供全性能、標準、節能與自定義等多種性能最佳化模式。其支持Windows 10及以上、macOS High Sierra(10.13.6) 及以上以及Android 5.1及以上作業系統。

三星990 EVO Plus提供5年有限質保，質保期限或達到總寫入位元組數（TBW）上限即止，以先到者為準。根據容量不同，1TB型號的總寫入位元組數為600TBW，2TB型號為1200TBW，4TB型號為2400TBW。