ivb處理器

ivb處理器它是snb之後的intel產品。IVB和snb都稱為Bridge，是因為它們都是環形架構。只是IVB是22nm加3d三柵極電晶體工藝技術，IVB原生支持USB3.0以及PCI Express 3.0，核心顯示卡性能更好；但是，IVB的記憶體控制器跟SNB是一樣的。

IVB簡介

2012年IDF英特爾22nm 3D電晶體技術首次與大家見面，與32nm平面電晶體相比，採用22nm 3D電晶體的CPU可最多帶來37%的性能提升，在相同性能的情況下電路能耗減少50%，最重要的是這項技術已經用在代號為英特爾下一代酷睿處理器Ivy Bridge當中。

作為英特爾Tick-Tock戰略其中重要的一環，2012年4月發布的英特爾第三代酷睿Ivy Bridge與之前32nm平面電晶體相比，22納米3-D三柵極電晶體，在大量增加電晶體數目的同時並控制晶片體積，在低電壓下將性能提高了37%。而在並且只需要消耗不到一半的電量。

解析

1、22nm 3D電晶體

Tick-Tock是英特爾晶片的發展模式，Tick指每隔兩年的奇數年推出核心面積更小、製程更先進的處理器；Tock指每隔兩年的偶數年推出新架構的處理器。而2012年正逢Tick年，英特爾22nm 3D電晶體CPU如約而至，這不僅是製程上的一次升級，更是電晶體結構的一次革新。

何為3D電晶體？

眾所周知，在積體電路中使用最為廣泛的電晶體為CMOS，它具有源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）三極，其基本的結構是上圖中左側所示，這就是我們現在說的平面結構。而3D電晶體又稱3D Tri-Gate，它是在原有電晶體結構上的一次創新，其源極（Source）由平面結構變為立體結構，與柵極（Gate）的接觸面由1個變為3個。這樣的設計可更好的控制電晶體的開關、最大程度有效利用電晶體開啟狀態時的電流（實現最佳性能），在關閉狀態時最大程度減少電流（降低漏電）。

22nm 3D電晶體為我們帶來了什麼？

英特爾Ivy Bridge處理器所採用的22nm 3D電晶體是半導體晶片產業的一次革命性的突破，它使得著名的摩爾定律得以延續，與32nm 平面電晶體相比，22nm 3D電晶體擁有更高的集成度，在同樣的單位面積上可承載更多的電晶體。除此以外，22nm 3D電晶體工作電壓Vdd僅為0.7V，與平面電晶體相比，在獲得同樣性能的前提下，可擁有更低的功耗。

所以第三代酷睿i7系列處理器推出了功耗更低的35W四核產品——i7 3612QM，而第二代酷睿七四核心的處理器最低為45W。

在性能上，35W的IVB 酷睿i7 3612QM四核處理器的CINEBENCH R10得分為19535，而TDP為45W的SNB 酷睿I7 2630QM得分不錯，由此可見22nm 3D電晶體技術為我們帶來了能耗更低性能更高的產品。

2、英特爾第三代酷睿處理器型號解讀

Ivy Bridge是英特爾第三代酷睿處理的代號，它延續了以Sandy Bridge為代號的第二代酷睿處理器的標識，其產品布局也沒有變化，由低到高依然是Atom、賽揚、奔騰和酷睿四大系列，其中酷睿系列包括i3、i5、i7三個主要型號。

雖然Ivy Bridge的標識延續了上一代的設計，產品布局也沒有改變，但從目前已知的產品型號來看，第三代酷睿系列處理器名稱在第二代酷睿系列處理器的基礎上進行了微調，將i3/i5/i7後面跟著的數字由2變為3，例如i7-3610QM，這就是第三代酷睿i7，而第二代酷睿i7則是i7-2630QM。

在處理器功耗上，標準電壓的IVB酷睿系列雙核處理器TDP均為35W，但四核心產品與上一代SNB有變化，增加了TDP為35W的i7 3612QM四核處理器，這也是移動平台中首次出現35W的四核CPU，其性能超過上一代同等定位的45W四核i7處理器，具有更高的能效比。

3、7系列主機板晶片組型號功能解讀

英特爾Ivy Bridge與前一代Sandy Bridge一樣採取雙晶片平檯布局(CPU+PCH)，與Ivy Bridge配套的新一代PCH晶片被稱為英特爾7系列晶片組。

7系列晶片組採用65nm製造工藝，FCBGA封裝，面向桌面平台的7系晶片組尺寸為27×27mm，底部具有942個焊球，間距0.7mm，TDP為6.7W；面向移動平台的封裝尺寸25×25mm，焊球為989個，間距0.6mm，TDP為4.1W，待機功耗3.7W。

在產品型號方面，7系列晶片組面向移動平台共發布了HM77、HM76、HM75、QM77和UM77，其中以HM和QM開頭的4款功耗為上面所說的4.1W，而UM77則是一款面向超極本的低功耗產品，其TDP為3.0W。

QM77定位最高，功能最為全面，它主要套用於商務筆記本當中，用於組建VPro平台，而其餘四款晶片組主要面向普通家用筆記本，均不支持AMT 8.0（主動管理技術）。

除QM77以外，HM77功能支持最全，UM77僅次於HM77，兩者差異主要體現在接口的數量上，而且專為極致纖薄的超極本打造的UM77不支持VGA/LVDS，這主要是因為受機身厚度影響，極致纖薄的超極本放不下這類接口。

剩下的HM76定位主流用戶，不支持RAID(磁碟陣列)、ISRT(英特爾固態硬碟加速技術)等。而HM75定位最低，除不支持HM76所列出的幾項技術以外，它還沒有提供USB3.0接口，其他的7系列晶片組均原生支持USB3.0接口。

雖然7系列晶片組是與Ivy Brige處理器是最佳組合，但7系列晶片組也向後兼Sandy Bridge系列處理器。而且6系列晶片組也可兼容Ivy Brige處理器，不過英特爾官方宣稱這僅限於桌面平台的H61、H67、P67和Z68四款晶片組，在移動平台上目前還不知道是否也可實現這樣的功能。

超執行緒技術

第三代酷睿i系列處理器全線支持英特爾超執行緒技術，該技術利用特殊的硬體指令，把兩個邏輯核心模擬成兩個物理晶片，讓單個處理器都能使用執行緒級並行計算，進而兼容多執行緒作業系統和軟體，減少了CPU的閒置時間，提高的CPU的運行效率。

睿頻加速2.0

第三代酷睿i系列處理器用途第二代酷睿i系列處理器一樣支持英特爾睿頻加速2.0技術，它可根據負載的變化，智慧型關閉一些用不上的核心，把能源留給正在使用的核心，並使它們運行在更高的頻率，從而提供更強的性能；相反，需要多個核心時，動態開啟相應的核心，智慧型調整頻率。這樣，在不影響CPU的TDP（熱設計功耗）情況下，能把核心工作頻率調得更高。不過這項技術仍然只有i5、i7處理器支持，i3以及奔騰、賽揚等系列不支持睿頻2.0。

英特爾InTru 3D技術

InTru™3D是英特爾的3D視頻解決方案，它通過HDMI 1.4a規範，由顯示卡輸出兩路信號到3D顯示設備上，從而實現立體快門式3D立體放映。

總結

毫無疑問，憑藉22nm 3D電晶體技術，英特爾第三代酷睿處理器擁有更加強勁的性能，在CPU部分相比上一代同等定位的產品性能提升20%以上，集成的HD4000核芯顯示卡達到主流入門級獨立顯示卡水平，與HD3000核芯顯示卡相比性能提升1倍。再加上三屏輸出、快速同步技術2.0、PCI-E 3.0等新特性，第三代酷睿處理器為我們帶來了全新的套用體驗，開啟了移動數字生活的新篇章。