IR的HEXFET功率場效應管irf3205採用先進的工藝技術製造，具有極低的導通阻抗。irf3205這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著稱的HEXFET設計，使得irf3205成為極其高效可靠、套用範圍超廣的器件。
基本介紹
- 中文名：irf3205
- 開態電阻： Rds(on):8mohm
- 封裝類型： TO-220AB TO-262 D2Pak
- 電晶體類型： MOSFET
基本信息:
基本參數:
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:55V
電流, Id 連續:110A
Qg Typ： 97.3 nC
FET極性: N型溝道
特性:
先進的工藝技術 貼片安裝 低端通孔安裝 超低導通阻抗 動態dv/dt率 175℃工作溫度 快速轉換速率 無鉛環保
