A14是台積電發布的1.4納米級半導體製造技術。2025年4月，台積電在北美技術論壇上首次公開該技術。該技術採用第二代GAAFET納米片電晶體和NanoFlex Pro標準單元架構，通過設計技術協同最佳化（DTCO）實現功率性能最佳化，並發展出NanoFlex Pro以實現更好的效能、能源效率和設計靈活性。A14無需使用High NA EUV光刻設備，且不支持背面供電，但計畫於2029年推出集成背面供電技術的衍生版本。相較於N2製程，A14在相同功耗下速度提升15%，或在相同速度下功耗降低30%，邏輯密度增加超過20%，並專為AI加速器和HPC領域最佳化。每片晶圓代工價格達4.5萬美元，較2納米製程上漲50%。2025年10月，台積電確認該技術面臨製造瓶頸，但與1納米（A10）同列為研發重點。由於良率優於預期，台積電決定加快建設其1.4納米晶圓廠。
台積電投資490億美元新建四座採用A14工藝的晶圓廠，選址位於台灣南部科學園區，計畫於2027年底啟動風險性試產，2027年第三季度實現量產初期生產，並於2028年下半年完成大規模量產。該項目預計全面投產後首年將為台積電帶來160億美元的營收增長，並創造8000至10000個就業崗位。
A14是台積電首個非過渡型1.4納米級工藝，直接對標Intel 14A製程技術，後續將推出包含A14P高性能版（計畫採用High-NA EUV）、A14X最佳化版和A14C低成本版的衍生工藝矩陣。潛在客戶包括蘋果、AMD、英偉達等企業，開發期間良率表現超過預期。
基本介紹
- 外文名：A14
- 發布單位：台積電
發展歷史,工廠建設與影響,規格參數,製造與良率,
發展歷史
2025年4月，在北美技術研討會上，台積電發布了A14（1.4納米級）製造技術。
2025年6月3日報導，台積電預計A14將於2028年投入量產，但不支持背面供電。
2026年1月1日，台積電宣布因良率進展優於預期，計畫將A14的量產時間提前至2027年。
2026年1月，台積電進一步確認A14工藝良率表現持續最佳化，晶圓廠建設按加速計畫推進。
工廠建設與影響
台積電已啟動A14技術對應的晶圓廠建設。根據2026年初的規劃，將建設四座工廠，初期投資額達490億美元。
中科園區的地基工程已於2025年11月上旬啟動，設備招標已完成，廠房招標仍在籌備中。新建廠房將容納四座工廠大樓及辦公設施。
項目全面投產後，預計首年可為台積電帶來160億美元的營收增長，並創造8000至10000個就業崗位。
規格參數
台積電的A14基於該公司的第二代GAAFET納米片電晶體和新的標準單元架構，以實現性能、功耗和微縮優勢。台積電預計，與N2相比，A14在相同功耗下可提升15%的性能，或在相同性能下可降低30%的功耗，邏輯密度增加超過20%。
A14採用了公司自研的設計技術協同最佳化（DTCO）技術NanoFlex Pro技術，允許設計人員以非常靈活的方式設計產品，從而實現最佳的功率性能優勢。A14（1.4納米級）工藝技術，不需要售價高達四億美金的最高端High NA EUV設備。
製造與良率
根據2026年初的報導，A14製程的良率表現優於預期，台積電因此決定加快其晶圓廠建設。具體的良率數據沒有公開披露，但業界推測其良率可能未超過20%。良率的提升被認為可能得益於新一代光刻技術的助力，但台積電暫未採購該設備。預計隨著時間推移，良率將逐步提升。
