陳遠富，男，博士、教授。 研究興趣和方向：石墨烯的宏量、可控制備及物理效應研究；石墨烯射頻石墨烯場效應電晶體研究；石墨烯基光電器件研究；石墨烯基新能源器件（太陽能電池、鋰離子電池、超級電容器）研究；磁性、介電、半導體的集成生長、界面控制與調製耦合效應。主要設備：石墨烯CVD系統、超高真空石墨烯外延系統、分子束外延系統（MBE）、雷射分子束外延系統等。
基本介紹
- 中文名：陳遠富
- 國籍：中國
- 民族：漢
- 職業：博士、教授
- 畢業院校：四川大學
- 性別： 男
人物經歷,研究方向,主要貢獻,在研項目,論文專利,
人物經歷
2001年6月獲四川大學材料學博士學位，2001.7月-2005.1先後在中科院物理研究所、台灣國立清華大學從事博士後研究，2005.3-2008.5先後在德國萊比錫大學、萊布尼茲固態所從事訪問研究，2008年5月作為海外引進教授加入電子科技大學微電子與固體電子學院、電子薄膜與集成器件國家重點實驗室。
研究經歷：
2001年7月至2003年6月 博士後
中國科學院物理研究所磁學國家重點實驗室
稀土--鐵基金屬間化合物磁熱效應
2003年7月至2005年1 博士後
台灣國立清華大學材料科學與工程學系
III-V稀磁半導體薄膜及量子點陣的MBE生長及磁性
2005年3月至2007年2月 訪問學者
Faculty of Physics and Earth Science, University of Leipzig, Germany，德國萊比錫大學物理與地球科學學院
鈣鈦礦錳氧化物薄膜及異質結的磁性、電子輸運性能
2007年3月至2008年5月 訪問學者
Institute for Integrative Nanosciences，Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden，Germany 德國萊布尼茲固體材料研究所、納米科學研究所
柔性巨磁電阻金屬多層膜磁性與磁輸運性能
2009年9月 訪問學者
Institute of Technical Physics, University of Erlangen-Nuremberg, Germany，德國埃爾朗根-紐倫堡大學技術物理研究所
熱解碳化矽單晶基片製備石墨烯外延薄膜及其結構表征與電學性能
研究方向
介電功能薄膜外延生長、界面控制與物理性能；
石墨烯薄膜與器件的製備及電學性能；
微、納電子結構及電學性能。
研究方向：
石墨烯材料可控制備研究
大面積、高質量石墨烯薄膜可控制備；
大規模、低成本石墨烯粉末宏量製備；
石墨烯大疇單晶連續薄膜可控制備。
石墨烯新型器件研究
基於石墨烯的微電子器件（如石墨烯射頻器件、微波器件等）研究；
基於石墨烯的光電子器件（如石墨烯發光與顯示器件、觸控螢幕器件、太陽能電池等）研究；
基於石墨烯的儲能器件（如石墨烯鋰離子電池、超級電容器、鋰硫電池等）研究；
基於石墨烯的感測器件（如石墨烯應變、應力感測器、氣敏感測器、生物感測器等）研究。
新型二維半導體材料製備及器件套用
設計、計算與預測新型二維半導體：採用材料基因工程思路，設計與預測高性能的新型二維半導體材料（例如尋找以；
MoS2為代表的兼具較高遷移率與一定禁頻寬度的MX2體系新型二維半導體）；
新型二維半導體材料可控制備：
新型二維半導體的電學、光電性能研究：
新型二維半導體器件研究：微電子器件，光電器件。
材料製備設備：
石墨烯薄膜CVD系統（CVD System for Graphene films）2套，可製備24*12平方英寸大面積石墨烯薄膜；
石墨烯外延單晶薄膜（Home-built System for Epitaxial GrapheneGrowth）；
二維半導體CVD系統（CVD System for MX2 2D semiconductor films）1套，用於MX2二維半導體薄膜的可控制備；
介電外延薄膜及異質結（Modified Riber EVA32 MBE）；
氧化物薄膜、金屬薄膜（E-beam Evaporator, Magnetron-sputtering）；
金屬電極生長（E-beam Evaporator, Thermal Evaporator）。
儲能器件設備：
鋰離子電池、超級電容器封裝系統--布勞恩Lab Star手套箱；
CHI 660D 電化學工作站。
重點實驗室公用設備：
表面、結構表征之AFM、HRXRD、SEM等；
電學性能測試之Agilent 4155B、Agilent 4294等；
微細加工中心之全套光刻、乾刻設備。
主要設備
半導體外延薄膜及異質結（SVT MBE）
介電外延薄膜及異質結（Modified Riber EVA32 MBE）
氧化物薄膜、金屬薄膜（E-beam Evaporator, Magnetron-sputtering）
金屬電極生長（E-beam Evaporator, Thermal Evaporator）
石墨烯薄膜（CVD System for Graphene films、）
石墨烯外延單晶薄膜（Home-built System for Epitaxial GrapheneGrowth）
重點實驗室公用設備：
表面、結構表征之AFM、HRXRD、SEM等
電學性能測試之Agilent 4155B、Agilent 4294等
微細加工中心之全套光刻、乾刻設備
主要貢獻
在研項目
1. 國家自然基金面上項目“鈣鈦礦鐵磁/鐵電外延異質結的磁電性能”，負責；
2. 電子科技大學青年基金重點項目“鐵電薄膜與半導體的外延集成及性能研究”，負責；
3. 電子科技大學啟動基金項目“鐵電薄膜及異質結的外延生長及性能研究”，負責；
4. 國家自然基金重點項目“介電/半導體集成薄膜的分子束外延生長與界面控制研究”，主研；
5. 國防“973”子項目“XXX特性的影響研究”，主研。
論文專利
近幾年在ACS Nano、Advanced Materials、Applied Physics Letters、Physical Review B、EPL、Journal of Applied Physics等國際期刊上發表SCI論文40餘篇，被同行引用300餘次。獲中國發明專利2項，申請中國發明專利2項。近幾年代表性論文下：
1. Y. F. Chen, Y. F. Mei,R. Kaltofen,J. I. M?nch, J. Schumann,J. Freudenberger, H. J. Klauss, O. G. Schmidt,
Toward flexible magnetoelectronics: Buffer-enhanced and mechanically tunable GMR of Co/Cu multilayers on plastic substrates.
Advanced Materials, 20 3224(2008).
2. Y. F. Mei, D. J. Thurmer, C. Deneke, S. Kiravittaya, Y. F. Chen, A. Dadgar, F. Bertram, B. Bastek, A. Krost, J. Christen, T. Reindl, M. Stoffel, E. Coric, O. G. Schmidt
Fabrication, self-assembly, and properties of ultrathin AlN/GaN porous crystalline nanomembranes: tubes, spirals, and curved sheetsACS Nano 3, 1663 (2009)
3. Y. F. Chen, J. H. Huang, W. N. Lee , T. S. Chin, R. T. Huang, F. R. Chen, and J. J. Kai.
Room-temperature ferromagnetism in self-assembled (In, Mn)As quantum dots.Appl Phys Lett., 90: 022505 (2007).
4. Y. F. Chen, M. Ziese, and P. EsquinaziJoule-heating-enhanced colossal magnetoresistance in La0.8Ca0.2MnO3 films.Appl. Phys. Lett. 89: 082501 (2006).
5. Y. F. Chen, M. Ziese, and P. EsquinaziBistable resistance state induced by Joule self-heating in manganites: a general phenomenon.Appl. Phys. Lett.88: 222513 (2006).
6. Y. F. Chen, and M. ZieseSpin filter in LSMO/CoFe2O4/Nb(0.5%):SrTiO3 heterostructuresPhys. Rev. B, 76: 014426 (2007)
7. H. T. Lin, Y. F. Chen, P. W. Huang, S. H. Wang, J. H. Huang, C. H. Lai, W. N. Lee, and T. S. ChinEnhancement of exchange coupling between GaMnAs and IrMn with selforganized Mn(Ga)As at the interfaceAppl Phys Lett., 89: 262502 (2006).
8. J. R. Sun, C. M. Xiong, T. Y. Zhao, S. Y. Zhang, Y. F. Chen, and B. G Shen.Effects of magnetic field on the manganite-based bilayer junction.Appl. Phys. Lett., 84: 1528-1530 (2004).
9. Y. F. Chen, and M. ZieseNonlinear transport properties of La2/3Ca1/3MnO3 and Fe3O4 in extreme Joule heating regime.J. Appl. Phys. 101: 103902-1~7 (2007).
10.Y. F. Chen, and M. ZieseInterface capacitance of La0.8Ca0.2MnO3/Nb:SrTiO3 junctionsJ. Appl. Phys.. 101: 123906-1~4 (2007).
11. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, G. J. Wang, J. R. Sun, F. X. Hu, and Z. H. ChengMagnetic properties and magnetic entropy change of LaFe11.5Si1.5Cy interstitial compounds.J. Appl. Phys 93: 6981-6984 (2003).
12. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, G. J. Wang, and J. R. SunMagnetism and magnetic entropy change of LaFe11.6Si1.4Cx (x=0~0.6) interstitial compounds.J.Appl. Phys 93:1323-1325 (2003).
13. Y. F. Chen, M. McCord, J. Freudenberger et al.Effects of strain on magnetic and transport properties of Co films on plastic substrates.J. Appl. Phys. 105, 07C302 (2009).
14. Y. F. Chen, and M. ZieseMagneto- and Electroresistance of La0.7Sr0.3MnO3/Nb(1.0%):SrTiO3 JunctionsJ. Appl. Phys.. 07C918 (2009).
15. F. Wang, J Zhang, Y. F. Chen, G. J Wang, J.R. Sun, B. G. and ShenSpin-glass behavior in La(Fe1-xMnx) 11.4Si1.6 compounds.Phys. Rev. B, 69: 094424-1 -5 (2004).
16. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, F. X. Hu, J. R. Sun, G. J. Wang, and Z. H. ChengMagnetic properties and magnetic entropy change of LaFe11.5Si1.5Hy interstitial compounds.J. Phys.：Condensed Matter 15, L161-L167 (2003).
17. Y. F. Chen, Y. F. Mei, A. Malachias, J. I. M?nch, R. Kaltofen, and O. G. SchmidtPhotoresist-buffer-enhanced antiferromagnetic coupling and GMR of Co/Cu multilayersJ. Phys. Condensed Mater.(Fast Track Communication) 20: 452202 (2008).
18. Y. F. Chen, D. Spoddig, M. ZieseEpitaxial thin film ZnFe2O4 a semil-transparent semiconductor with high Curie temperature.J. Phys. D: Appl. Phys. 41: 205004 (2008).
19. Y. F. Chen, M. Ziese, and P. EsquinaziMagnetotransport properties of Fe3O4-La0.7Sr0.3MnO3 junctions.J. Phys. D: Appl. Phys. 40: 3271-3276 (2007).
20. Y. F. Chen, and M. ZieseIntrinsic spin filtering in a La2/3Ca1/3MnO3 / Nb (1.0%): SrTiO3 junction.
Europhys. Lett., 77: 47001(2007).
專利成果
（1）已獲授權中國發明專利7項
1. 專利名稱：一種石墨烯場效應電晶體發 明 人：陳遠富、王澤高、 郝昕、劉興釗、李言榮申 請 日：2010.02.05申 請 號：201010107622.6公 開 號：CN101777583A授 權 日：2011.09.14專 利 號：ZL 2010 1 0107622.6
2. 專利名稱：超大面積高質量石墨烯薄膜電極的製備方法發 明 人：陳遠富、王澤高、李言榮申 請 日：2010.01.26申 請 號：201010101217公 開 號：CN101760724A授 權 日：2011.10.12專 利 號：ZL 2010 1 0101217.3
3. 專利名稱：石墨烯電致發光顯示器件及其製造方法申 請 日：2010.09.16申 請 號：201010283104.X
發 明 人：陳遠富、王澤高、李萍劍、李言榮授 權 日：2012.11.14專 利 號：ZL 201010283104.X
4. 專利名稱：石墨烯染料敏化太陽能電池及其生產方法申 請 日：2010.12.20申 請 號：201010596978.X發 明 人：陳遠富、程凱、王澤高、李萍劍、張萬里、李言授 權 日：2012.9.12專 利 號：ZL 201010596987.X
5. 專利名稱：一種單晶石墨烯的製備方法申 請 日：2011.09.05申 請 號：2011110260289.7發 明 人：陳遠富、王澤高、李言榮、李萍劍、張萬里授 權 日：2013.9.25專 利 號：ZL 2011110260289.7
6. 專利名稱：一種超級電容器的石墨烯材料的製備方法申 請 日：2012.01.17申 請 號：201210014031.3發 明 人: 陳遠富、黃然、王澤高、李萍劍、賀家瑞、張萬里、李言榮授 權 日：2013.12.13專 利 號：ZL 201210014031.3
7. 專利名稱：一種鋰離子電池負極材料的製備方法申 請 日：2012.05.08申 請 號：201210138679.1發 明 人：陳遠富、黃然、王澤高、李萍劍、賀家瑞、張萬里、李言榮授 權 日：2014.05.21專 利 號：ZL 201210138679.1
（2）已公開、尚未授權中國發明專利9項1. 專利名稱：一種降低石墨烯薄膜方阻的方法申 請 日：2011.02.21申 請 號：201110041766.0發 明 人：陳遠富、王澤高、李萍劍、李言榮
2. 專利名稱：一種石墨烯太陽能電池及其製備方法申 請 日：2011.11.04申 請 號：201110346445.1發 明 人：王澤高、陳遠富、李萍劍、張萬里、李言榮
3. 專利名稱：一種染料敏華太陽能電池用石墨烯對電極及其製備方法申 請 日：2012.02.24申 請 號：201210043258.0發 明 人：陳遠富、王澤高、李萍劍、張萬里、李言榮
4. 專利名稱：SiC熱裂解法製備石墨烯的系統及其方法申 請 日：2012.08.29申 請 號：201210312411.5發 明 人：陳遠富、郝昕、李萍劍、王澤高、劉競博、張萬里、李言榮
5. 專利名稱：一種石墨烯的製備方法申 請 日：2012.09.19申 請 號：201210347577.0發 明 人：王澤高、陳遠富、李萍劍、賀加瑞、鄭斌傑、劉競博、郝昕、張萬里、李言榮
6. 專利名稱：一種矽面SiC襯底上的石墨烯光電器件及其製備方法申 請 日：2013.01.31申 請 號：201310037225.X發 明 人：陳遠富、郝昕、王澤高、李萍劍、劉競博、張萬里、李言榮
7. 專利名稱：一種矽面SiC外延石墨烯液相氟插層方法申 請 日：2013.03.05申 請 號：201310068741.9發 明 人：郝昕、陳遠富、王澤高、李萍劍、劉競博、張萬里、李言榮
8. 專利名稱：一種熱裂解碳化矽製備外延石墨烯的方法申 請 日： 2013.04.24申 請 號： 201310143450.發 明 人：陳遠富、郝昕、王澤高、李萍劍、劉競博、張萬里、李言榮
9. 專利名稱：一種雙層石墨烯薄膜的製備方法申請號：201310441680.6申請日：2013.09.25申請人：電子科技大學發明人：陳遠富、劉競博、李萍劍、王澤高、張萬里
