軟烘

在矽片上旋轉塗布光刻膠之後，矽片要經過一個高溫步驟，稱為軟烘。

基本介紹

• 中文名：軟烘
• 外文名：soft bake

光刻膠軟烘的原因有以下幾點：

（1）將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；

（2）增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以很好地粘附；

（3）緩和在旋轉過程中光刻膠膜內產生的應力；

（4）防止光刻膠沾到設備上（保持器械乾淨）。

軟烘的溫度和時間視具體光刻膠和工藝條件而定。參考光刻膠生產商推薦的工藝，設定軟烘參數的起止點，而後，最佳化工藝以達到產品需要的粘附性和尺寸控制。軟烘溫度通常在85度~120度範圍內。軟烘的過程根據不同的光刻膠而變化，但通常的時間是30~60秒。

如果光刻膠膠膜在塗膠後沒有軟烘而直接進行對準和曝光，將可能出現以下問題：

（1）光刻膠薄膜發黏並易受顆粒沾污；

（2）光刻膠薄膜來自於旋轉塗膠的內在應力將導致粘附性問題；

（3）由於溶劑含量過高導致在顯影時由於溶解差異，而很難區分曝光和未曝光的光刻膠；

（4）光刻膠散發的氣體（由於曝光時的熱量）可能沾污光學系統的透鏡。