基本介紹
- 中文名：堅膜烘焙
- 定義：光刻中顯影后的熱烘
相關詞條
- 堅膜烘焙
光刻中顯影后的熱烘即堅膜烘焙。堅膜烘焙要求揮發掉存留的光刻膠溶劑，提高光刻膠對矽片表面的粘附性。這一步是穩固光刻膠，對後面的刻蝕和離子注入過程非常關鍵2。正性光刻膠的堅膜烘焙溫度約為120到140度，這比軟烘溫度要高，但...
- 堅膜
堅膜是一個熱處理過程，即在一定的溫度下，對顯影后的晶圓片進行烘焙。 堅膜是感光材料沖洗(或感光材料製造)過程中提高明膠藥膜熔點和堅牢性能的輔助加工過程。感光層中的明膠在沖洗中受各種因素影響,可能發生膨脹、軟化,從而造成感光性能受損。經過顯影的光刻膠膜已經軟化、膨脹，膠膜與晶圓片表面之間的黏附性下降...
- 前烘
為方便起見，可將光刻的圖形形成過程分為8個步驟，即氣象成底膜，旋轉塗膠，軟烘，對準和曝光，曝光後烘焙，顯影，堅膜烘焙，顯影檢查。光刻膠軟烘原因 光刻膠軟烘的原因有：1.將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2.增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以更好地粘附；3.緩和在旋轉過程中光刻膠膠膜內產生的...
- 光刻技術
7.堅膜烘焙 8.顯影檢查 光刻 光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。準分子光刻技術 準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特徵尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子雷射技術；特徵尺寸為90 nm的...
- 勻膠
為方便起見，可將光刻的圖形形成過程分為8個步驟，即氣象成底膜，旋轉塗膠，軟烘，對準和曝光，曝光後烘焙，顯影，堅膜烘焙，顯影檢查。光刻塗膠方法 旋轉塗膠有4個基本步驟（圖1）：分滴。當矽片靜止或旋轉得非常緩慢時，光刻膠被分滴在矽片上。旋轉鋪開。快速加速矽片的旋轉到一高的轉速（rpm）使光刻膠伸展到...
- 積體電路製造工藝(2014年電子工業出版社出版的圖書)
3.3.5 曝光後的烘焙 3.3.6 顯影 3.3.7 堅膜烘焙 3.3.8 顯影檢查及故障排除 3.4 先進光刻工藝介紹 3.4.1 極紫外線（EUV）光刻技術 3.4.2 電子束光刻 3.4.3 X射線光刻 3.4.4 解析度增強技術 3.4.5 浸入式光刻技術 3.4.6 納米壓印技術 本章小結 思考與習題3 第4章 刻蝕 本章要點 4....
- 光刻
b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，解析度變差。另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發生交聯形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩定性。在後面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起解析度的降低。準分子光刻技術 ...
- 光刻工藝
硬烘乾可以達到這個目的，這一步驟也被稱為堅膜。在這過程中，利用高溫處理，可以除去光刻膠中剩餘的溶劑、增強光刻膠對矽片表面的附著力，同時提高光刻膠在隨後刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性能力。另外，高溫下光刻膠將軟化，形成類似玻璃體在高溫下的熔融狀態。這會使光刻膠表面在表面張力作用下圓滑化，並使光...
- 基於生產環境的積體電路光刻工藝互動式虛擬仿真實驗
（12）顯影后硬烘焙（堅膜）：硬烘焙可以使顯影后的光刻膠硬化提高強度，使光刻膠和晶圓表面有良好的貼上，理解堅膜的作用和可能對後續工藝的影響。（13）顯影后檢測：在顯微鏡下檢查表面的對準和缺陷情況，如：視窗內無殘留、無氧化物小島、無過腐蝕、無染色、氧化膜無腐蝕針孔、氧化膜無劃傷等；無連鋁、鋁過...
- 半導體製造技術(2015年電子工業出版社出版的圖書)
15.2 曝光後烘焙 15.3 顯影 15.4 堅膜 15.5 顯影檢查 15.6 先進的光刻技術 15.7 顯影質量測量 15.8 顯影檢查及故障排除 15.9 小結 第16章 刻蝕 目標 16.1 引言 16.2 刻蝕參數 16.3 乾法刻蝕 16.4 電漿刻蝕反應器 16.5 乾法刻蝕的套用 16.6 濕法腐蝕 16.7 刻蝕技術的發展歷程 16.8 ...
- 半導體工藝與積體電路製造技術
7.2.5 曝光後烘焙 162 7.2.6 顯影 162 7.2.7 堅膜 163 7.2.8 顯影后檢測 163 7.3 曝光光源 163 7.3.1 汞燈 164 7.3.2 準分子雷射光源 164 7.4 曝光系統 165 7.4.1 接觸式 166 7.4.2 接近式 166 7.4.3 投影式 167 7.4.4 掩模版 170 7.4.5 環境條件 176 7.5 光刻膠 177...
