基本介紹
- 中文名：羅晉生
- 國籍：中國
- 民族：蒙古族
- 出生地：江蘇鎮江
- 出生日期：1924年5月
- 逝世日期：2019年3月21日
- 職業：交通大學教授 半導體領域科學家
- 畢業院校：上海交通大學物理系
- 主要成就：“半導體與集成技術專業學會”委員
半導體器件與微電子學專業博士導師
“表面與界面物理專業學會”委員
西安交通大學半導體學科的主要創始人和學科帶頭人 - 代表作品：《離子注入物理》、《非晶半導體》
- 籍貫：江蘇鎮江
羅晉生，蒙古族。教授。江蘇鎮江人。1949年加入中國共產黨。1950年畢業交通大學物理系。歷任西安交通大學講師、副教授、教授、微電子技術研究所副所長。長期從事半導體物理與器件方面的教學和研究，橢偏光技術套用理論研究獲得成果。主編《離子注入物理》、《非晶半導體》。
羅晉生教授，1924年5月生於江蘇鎮江，1949年2月在上海加入中國共產黨，1950年7月在交通大學物理系畢業並留校任教，1956年隨校西遷至西安。從1950年起，先後在交通大學及西安交通大學任助教、講師及副教授，1981年6月任教授，1982年在美國賓州州立大學和麻省理工學院作訪問研究一年，1986年7月被國務院學位辦批准為半導體器件與微電子學專業博士導師，1994年離休。
羅晉生教授主編和編寫過四本教科書，作為主要編寫人之一所編寫的《半導體物理學》獲1992年國家優秀教材特等獎，主編的《離子注入物理》1997年獲原電子工業部優秀教材二等獎。主編的另外兩部書分別是1986年出版的《非晶半導體》和1990年出版的研究生教材《半導體理論》。
羅晉生教授一生致力於半導體領域的科學研究與教學工作，是我國半導體領域的著名科學家、先驅者和奠基人之一。他在半導體表面與界面物理、半導體離子注入及其快速退火技術、三-五族化合物高速半導體器件、功率半導體器件、半導體的橢偏光分析研究等方面取得了突出的成績。羅晉生教授共發表學術論文240多篇，獲得省部級以上科技獎七項。羅晉生教授長期擔任國家“半導體與集成技術專業學會”委員，“表面與界面物理專業學會”委員，《半導體學報》《固體電子學研究與進展》及《微電子學與計算機》三個學術刊物的編委會委員。
羅晉生教授是西安交通大學半導體學科的主要創始人和學科帶頭人，曾長期擔任西安交大半導體學科的領導人，1978年開始指導碩士生，1986年開始指導博士生，多年來培養了一大批活躍在國內外學術領域及業界的優秀人才，為我國半導體領域高層次人才培養做出了貢獻。他被陝西省教委和學位委員會評為優秀博士生指導教師，西安交通大學授予他“做出突出貢獻的博士生指導教師”稱號。
