介紹碲化銦晶體indium =elluride crys<<<l In2Te3周期表第 m. Gr族元素化合物半導體。共價鍵結合，有離子鍵成分。閃 鋅礦型結構。密度5.7撇/cm3 熔點6fi7};。禁頻寬度 1 . C1eV，一般為n型材料。電子和空穴遷移率分別為3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}熱一導率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法製備。用於製作紅外探測器。
