楊新菊，女，美國Houston大學博士後，復旦大學套用表面物理國家重點實驗室副教授副主任。
基本介紹
- 中文名：楊新菊
- 職業：教師
- 學位/學歷：博士後
- 專業方向：掃描探針顯微鏡的套用研究、納米尺度力學、電學和磁學性質的研究
- 就職院校：復旦大學物理學系
個人經歷,主講課程,研究方向,學術成果,
個人經歷
1988:復旦大學物理系學士；
1991:復旦大學物理系碩士；
1994：復旦大學材料科學系博士；
1994-1999：復旦大學雷射化學研究所講師；
2000-2002：美國Houston大學博士後；
2002-迄今:復旦大學套用表面物理國家重點實驗室副教授；
2005-迄今:復旦大學套用表面物理國家重點實驗室副主任。
主講課程
生物單分子的觀測和操縱。
研究方向
1.掃描探針顯微鏡(導電原子力顯微鏡、電場力顯微鏡、磁場力顯微鏡、掃描電勢顯微鏡、掃描電容顯微鏡)的套用研究；
2.納米尺度力學、電學和磁學性質的研究；
3.半導體量子結構的制和單量子結構的電學性質研究；
4.新型納米材料的製備及其性質研究（單層石墨、矽納米線、DNA、蛋白質等）。
學術成果
1. S. Wu, Z. L Wu, D. D. Lin, Z. Y. Zhong, Z. M. Jiang and X. J. Yang*, Photogenerated charges and surface potentialvariations investigated on single Si nanorods byelectrostatic force microscopy combined withlaser irradiation, Nanoscale Res. Lett. 9, 245 (2014).
2.S. H. Zhao, Y. Lv, X. J. Yang, Layer-dependent nanoscale electrical properties of graphene studied by conductive scanning probe microscopy, Nanoscale Research Letters 6,498 (2011).
3.R. Wu, S. L. Zhang, J. H. Lin, Z. M. Jiang and X. J. Yang, Bias-dependent conductive characteristics of individual GeSi quantum dots studied by conductive atomic force microscopy, Nanotechnology 22, 095708 (2011).
4.P. L. Zhu, F. Xue, Z. Liu, Y. L. Fan, Z. M. Jiang, and X. J. Yang，Influence of annealing atmosphere on the magnetic properties of of SiO2/Fe/SiO2 sandwiched nanocomposite films, J. Appl. Phys. 106, 043907(2009).
5.S. L. Zhang, F. Xue, R. Wu, J. Cui, Z. M. Jiang, X. J. Yang, Conductive atomic force microscopy studies on the transformation of GeSi quantum dots to quantum rings, Nanotechnology 20, 135703 (2009).
6.Y. Zhu, R. Wu, Y. Q. Wu, Y. L. Fan, Z. M. Jiang, X. J. Yang, The influence of double-layer charge interaction on charge injection and charge decay in Si nanocrystals, Nanotechnology 18, 235403 (2007).
7.Wu, F. H. Li, Z. M. Jiang, and X. J. Yang, Effects of a native oxide layer on the conductive atomic force microscopy measurements of self-assembled Ge quantum dots, Nanotechnology 17, 5111 (2006).
8.F. Xue, J. Qin, J. Cui, Y. L. Fan, Z. M. Jiang, and X. J. Yang，Studying the lateral composition in Ge quantum dots on Si(001) by conductive atomic force microscopy, Surf. Sci. 592, 65 (2005).
