晶體生長數值模擬

晶體生長方法最常用的是人工合成（人工晶體），運用較多的是從熔體中實現晶體的生長，包括直拉法（提拉法）、坩堝下降法、區熔法、焰熔法等。

而晶體生長數值模擬就是依靠計算機和數值理論來實現以上幾種晶體生長方法的過程。

基本信息

大尺寸晶體生長的製備，特別適用於高科技套用，如DRAMs、積體電路的半導體，單晶或多晶晶元的太陽能電池，LED照明的寶石基底等等。一般來說，Cz法（Czochralski法）生產用於IC和太陽能電池的單晶矽；懸浮區熔法（Fz法：Floating Zone）生產高純度的單晶矽；定向凝固法（DS法、VB法等）多用於生產用於太陽能電池上的多晶矽。以上幾種工藝通過建立數值模型，利用有效的仿真工具來完成拉晶過程中對單晶爐、晶體的熱場、力學性能、幾何結構的預測，最終實現對生成晶體質量的評估。

晶體生長領域學者比利時魯汶大學的Prof. Dupret François，90年代於《J. of Heat and Mass Transfer》上發表了一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces，詳細闡述了如何建立一個晶體生長爐中全局的熱傳控制模型，並驗證了這一全局模型的準確性。

數值模擬

1、直拉法（提拉法，Cz法）

2、坩堝下降法

3、區熔法（懸浮區熔法）

4、焰熔法