晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣多餘的光刻膠還可以通過光學的辦法來清除,稱為晶圓邊緣曝光(wafer edge exposure,WEE)。

基本介紹

  • 中文名:晶圓邊緣曝光
  • 外文名:wafer edge exposure(WEE)
塗膠烘烤完成後,晶圓被傳送到邊緣曝光單元。邊緣曝光單元也是勻膠顯影機的一部分。晶圓的邊緣部分被曝光,激發光化學反應。這樣在最後顯影時,邊緣的光刻膠就與曝光圖形同時溶解在顯影液里。
圖1是邊緣曝光單元結構示意圖,機械手把晶圓放置到可以旋轉的樣品台上,樣品台開啟真空固定晶圓。樣品台旋轉,邊緣感測器測定晶圓邊緣和缺口(notch)的位置。邊緣曝光的來源來自於一個高壓汞燈,汞燈安裝在一個盒子裡(lamp house),通過一根光纖把光線輸送到晶圓邊緣。曝光光源的開關由盒子裡的一個擋光板控制。光纖輸出的光通過一個透鏡聚焦在晶圓的邊緣,晶圓轉動實現曝光。光纖的輸出端和聚焦透鏡安裝在一個可以沿X/Y方向移動的導軌上,以便調整曝光位置。
圖1 邊緣曝光單元結構示意圖圖1 邊緣曝光單元結構示意圖

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