基本介紹
- 中文名：接地反彈
- 外文名：Ground bounce
電晶體,閾值電壓,邏輯門,
電晶體
電晶體（英語：transistor），早期音譯為穿細絲體，是一種固體半導體器件，可以用於放大、開關、穩壓、信號調製和許多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。當時巴丁、布喇頓主要發明半導體三極體；肖克利則是發明PN二極體，他們因為半導體及電晶體效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。
電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極），(C)集電極、(E)發射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。電晶體基於輸入的電流或電壓，改變輸出端的阻抗，從而控制通過輸出端的電流，因此電晶體可以作為電流開關，而因為電晶體輸出信號的功率可以大於輸入信號的功率，因此電晶體可以作為電子放大器。
閾值電壓
當器件由空乏向反轉轉變時，要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態，器件的閘極電壓定義為閾值電壓，它是MOSFET的重要參數之一。
邏輯門
邏輯門是在積體電路上的基本組件。簡單的邏輯門可由電晶體組成。這些電晶體的組合可以使代表兩種信號的高低電平在通過它們之後產生高電平或者低電平的信號。高、低電平可以分別代表邏輯上的“真”與“假”或二進制當中的1和0，從而實現邏輯運算。常見的邏輯門包括“與”閘，“或”閘，“非”閘，“異或”閘（也稱：互斥或）等等。
邏輯門是組成數字系統的基本結構，通常組合使用實現更為複雜的邏輯運算。一些廠商通過邏輯門的組合生產一些實用、小型、集成的產品，例如可程式邏輯器件等。
查爾斯·桑德斯·皮爾士(1880–81的冬天)指出NOR閘可以單獨使用(或者NAND閘也可以)來產生其他邏輯門的所有功能，不過他的這個研究一直到1933年才發表。在1913年，Henry M. Sheffer第一個發表NAND閘可以做出全部的功能的證明，也因此NAND閘的邏輯運算有時候也稱為謝費爾豎線(Sheffer stroke)；NOR閘有時叫Peirce's arrow。所以這些閘有時候叫做通用邏輯門。
