大腦溝

發生過程：

孕13周邊緣帶在某些部位增厚，漸成疣狀陷入皮質板，在腦表面尚不見腦溝回。由於大腦實質體積增加的速度快於顱骨發育的速度，孕16周時，各腦區有較多溝回顯現，以往文獻報導大腦主要溝回的發生在孕20~35周。按出現先後順序及分支情況可將腦溝分為2級：1級溝回是腦表面的主要溝回，最初1級溝回僅是其周圍腦實質的稍微凹陷，形成的腦溝較圓頓；而後腦溝逐漸變深，其周圍腦實質慢慢形成一定角度；同時任何腦溝兩側的腦實質間距逐漸減小。1級溝回的出現幾乎與胎兒大腦的發育同步；2級溝回是1級溝回的分支，首先呈一條直線，慢慢呈“V”字形後與1級溝回連線。腦溝回的發育在1歲達成人相似的水平。大腦體積增加及腦表面溝回形態變化可導致其他結構的形態改變，如側腦室形狀的改變和蛛網膜下間隙的減少。

分類：

外側溝：

也稱為外側裂或塞維斯氏（Svlvius）裂，是半球最深、最明顯的溝裂。位於半球外側面的中部，從顳極前方的大腦側谷開始，向後外上方不遠處，分為短的前水平支、升支和長的後支。大腦外側溝的位置與蝶骨小翼後緣的方向一致，其分支點與顱骨表面的翼點一致。前水平支自此點水平前進，約前進10毫米轉入額下回；升支自此點垂直向上伸入額下回，約10毫米；後支是外側溝的延續，向後上方終於頂葉的緣上回。在大腦外側溝的深部，埋藏有三角形的腦島。將額葉、頂葉和顳葉覆蓋著腦島的部分總稱為島蓋（operculum）。

頂枕溝：

又稱頂枕裂（parietooccipitalfissure），位於半球的內側面，楔葉的前方，是頂葉和枕葉在內側面的分界。頂枕溝的上端在背內側緣，始自枕極和中央溝上端間的中點，並繞過背內側緣，長約10毫米。起始後沿內側面向前下方，在距狀溝前、中1/3交界處，與距狀溝會合。如果二溝分離時，其間常有一過渡回。

扣帶溝：

位於半球的內側面，與胼胝體溝平行，在扣帶回上方。扣帶溝始於胼胝體嘴的下方，並與胼胝體嘴的方向一致，向前向上，繞過胼胝體膝，繼續沿胼胝體上方向後進，然後轉回上方，最後在中央溝上端的稍後方，到達背內側緣，特稱此段為緣支。在緣支前方，由扣帶溝發出一短升支，稱此短升支為旁中央溝（para-centralsulcus）。

距狀溝：

也稱距狀裂（cal-carinefissure），位於半球內側面的後部，自顳葉中部水平地伸向枕極的弓形深溝，此溝兩岸的皮質是初級視覺中樞。距狀溝常以二支始於枕極，首先向前上方再轉向前下方，終止於胼胝體壓部的下方，借其與頂枕溝的連線點，把距狀溝分為前後兩段：即前距狀溝和後距狀溝。前距狀溝在側腦室后角的內側壁，形成的隆起稱為禽距。

中央溝：

中央溝（centralsulcus）自半球上內側緣中點稍後沿外側面斜向下前，至外側裂上方。

Retzius見此溝上端有16%達上內側緣，20%不達上內側緣，以中部的溝底最深，其內可見連續回，下端幾乎不到外側裂，而由中央前、後回的融合帶所封閉；該帶呈弓橋狀，向上彎曲，稱中央下回（subcentralgyrus）。經觀察中央溝上端起於半球內側面、上內側緣及外側面者各占1/3；下端不到外側裂者，占85%～86%；打開中央溝前後壁，見溝壁上有壁間回者，占83%～91%；溝底有連線回者，占10%～11%。研究者認為，中央溝幾乎均左右對稱，典型者上、下端封閉，即上端的旁中央小葉與中央前、後回結合在一起，下端存在中央下回。中央溝通常不間斷，但在1%～8%病例中，中間可被深在的橫向回中斷。從正中矢狀面觀，中央溝位於冠狀縫後方50（36～55）mm處。可將中央溝直觀地看作峽深裂隙，但並非平直，有二處彎曲，上曲位於中上1/3交界處，凸向後方；下曲位於中下1/3交界處，凸向前方。它屬於界限型腦溝，溝壁亦為皮質結構，參與軀體感覺運動。

大腦溝

基本介紹