DMOS與CMOS器件結構類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。
DMOS器件是由成百上千的單一結構的DMOS 單元所組成的。這些單元的數目是根據一個晶片所需要的驅動能力所決定的，DMOS的性能直接決定了晶片的驅動能力和晶片面積。對於一個由多個基本單元結構組成的LDMOS器件，其中一個最主要的考察參數是導通電阻，用R ds（on）表示。導通電阻是指在器件工作時，從漏到源的電阻。對於 LDMOS器件應儘可能減小導通電阻，就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，雙極—互補金屬氧化物半導體—雙重擴散金屬氧化物半導體)工藝流程所追求的目標。當導通電阻很小時，器件就會提供一個很好的開關特性，因為漏源之間小的導通電阻，會有較大的輸出電流，從而可以具有更強的驅動能力。DMOS的主要技術指標有：導通電阻、閾值電壓、擊穿電壓等。
在功率套用中，由於DMOS技術採用垂直器件結構(如垂直NPN雙極電晶體)，因此具有很多優點，包括高電流驅動能力、低Rds導通電阻和高擊穿電壓等。
