X射線光電子能譜儀

X射線光電子能譜儀

X-射線光電子能譜儀,是一種表面分析技術,主要用來表征材料表面元素及其化學狀態。其基本原理是使用X-射線,如Al Ka =1486.6eV,與樣品表面相互作用,利用光電效應,激發樣品表面發射光電子,利用能量分析器,測量光電子動能(K.E),根據B.E=hv-K.E-W.F,進而得到激發電子的結合能(B.E)。

基本介紹

  • 中文名:X射線光電子能譜儀
  • 解析度:0.5cV 
  • 電子槍束斑:75nm 
  • 靈敏度:80KCPS
主要用途,儀器類別,附屬檔案信息,

主要用途

XPS:固體樣品的表面組成分析,化學狀態分析,取樣訊息深度為~10nm以內. 功能包括:
1. 表面定性與定量分析. 可得到小於10um 空間解析度的X射線光電子能譜的全譜資訊.
2. 維持10um以下的空間解析度元素成分包括化學態的深度分析(角分辨方式,,離子或團簇離子刻蝕方式)
3. 線掃瞄或面掃瞄以得到線或面上的元素或化學態分布.
4. 成像功能.
5. 可進行樣品的原位處理 AES:1.可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析) 2.可進行深度分析適合: 納米薄膜材料,微電子材料,催化劑,摩擦化學,高分子材料的表面和界面研究

儀器類別

03030707 /儀器儀表 /成份分析儀器
X射線光電子能譜儀
指標信息: 主真空室:1×10-10 Torr XPS:0.5eV, AES: 解析度:0.4%, 電子槍束斑:75nm , 靈敏度:1Mcps信噪比:大於70:1 角分辨:5°~90°. A1/Mg雙陽極靶 能量解析度:0.5eV ,靈敏度:255KCPS, 使用多通道檢測器(MCD)

附屬檔案信息

XPS: 1.快速氬離子刻蝕槍 AES: 1.快速氬離子刻蝕槍 2.能量損失譜 ,
主要研究領域包括:(1)TiO2納米光催化以及在空氣和水淨化方面的套用;(2)汽車尾氣淨化催化劑新型金屬載體的研究;(3)納米藥物載體靶向藥物的研究;(4)納米導電陶瓷薄膜材料的研究;(5)納米雜化超硬薄膜材料及摩擦化學的研究;(6)納米發光材料及納米分析化學研究;(7)有機電致發光材料的表面化學研究;(8)納米材料在香菸減毒淨化上的套用研究;(9)無機納米殺菌與抗菌材料及其在飲用水淨化上的作用;(10)電解水制氧電極材料的研究

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