THB6016H

基本介紹

• 外文名：THB6016H
• 特性：雙全橋MOSFET驅動
• 電容值：450P
• 所屬公司：北京博遠鼎盛電子科技有限公司

基本信息

THB6016H(峰值電流3.5A)

低功耗、高集成的兩相混合式步進電機驅動晶片 THB6016H

THB6016H是低功耗、高集成的兩相混合式步進電機驅動晶片，該晶片內置雙全橋MOSFET驅動、溫度保護及過流保護，採用HZIP25-P-1.27封裝（尺寸：36×17mm），每相額定電流2.5A、最大峰值3.5A，最大工作電壓40V，最小4.5V，外圍電路簡單、工作可靠、使用方便。

本公司提供參考驅動電路，產品運行平穩、低振動、低噪音。

特性

● 雙全橋MOSFET驅動

● 耐壓40V

● 電流3.5A（峰值）

● 具有1/2細分、1/4細分、1/8細分、1/16細分運行方式可供選擇

● 內置溫度保護及過流保護

● 採用HZIP25-P-1.27封裝

● 外圍電路簡單

二、管腳說明

1、TQ2：電機力矩控制端，即可以選擇不同的工作電流，也可以在電機不轉時作半流鎖定功能

2、TQ1：

3、CLK：輸入脈衝

4、ENABLE：使能端

5、RESET：上電復位

6、地線

7、OSC：斬波頻率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz

8、VH：驅動電壓小於40VDC

9、MB：電機繞組B相

10、地線

11、RB：B相電流檢測端，須大於0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W=2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W=1A

12、MB-：電機繞組B相

13、MA：電機繞組A相

14、RA：A相電流檢測端，須大於0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W=2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W=1A

15、地線

16、MA-：電機繞組A相

17、空

18、VH：驅動電壓小於40VDC

19、TSD：溫度保護，晶片溫度大於150℃自動斷開所有輸出

20、VCC：5V穩壓電源

21：DIR：正反轉控制

22、M2：細分數選擇端

23、M1：細分數選擇端

24、PFD2：衰減方式控制端

25、PFD1：衰減方式控制端

斬波頻率說明：

慢衰減：2細分 斬波時間：40us 占空比（高—低）：4—36

快衰減：16細分 斬波時間：40us 占空比（高—低）：20—20

電容值：150P

慢衰減：2細分 斬波時間：15us 占空比（高—低）：1.5—13.5

快衰減：16細分 斬波時間：15us 占空比（高—低）：7.5—7.5

三、THB6016H原理圖

四、封裝圖