Soi，數智音樂人，數字唱作人。
角色背景,音樂單曲,
角色背景
2023年11月15日，Soi正式出道。
音樂單曲
- 以我之名 Say My Name2023
Soi，數智音樂人，數字唱作人。
SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽，該技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。簡介材料通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點：可以實現積體電路中元器件...
SOI（Silicon On Insulator）是通過在矽基板中嵌入絕緣層實現電流隔離的半導體製造技術，具備低功耗、耐高溫高壓等特性。該技術具備耐高溫高壓、低功耗特性，套用於汽車動力驅動系統時可提升晶片穩定性，其絕緣層設計能有效降低漏電流干擾。2024年上海矽產業集團旗下新傲芯翼展示了基於12英寸SOI矽片的解決方案，該技術支持...
SOI晶片（Silicon on Insulator）是一種通過在絕緣層上形成單晶矽薄膜來提升積體電路電流效率的半導體晶體材料，主要套用於高性能電子器件製造。其核心技術由Soitec等國際企業主導，2000年至2010年間全球市場份額從約30%增長至50%。我國在該領域實現重要突破：上海新傲科技有限公司於2008年12月成功製備出國內首片8英寸鍵合...
SOI（Service Oriented Infrastructure）是一種應用程式資源分享技術。SOI(Service Oriented Infrastructure，面向服務的基礎設施)能夠滿足實時企業(RTE)的需求。Open Group——一個致力於為SOI定義引用框架和成熟度模型的公開標準聯盟，其認為，利 用SOI，更確切地說，利用SOI中的虛擬處理器、存儲和網路資源，企業無需考慮...
SOI工藝實現了優異的介質隔離，消除了體矽CMOS電路固有Latch-up 效應，同時具有寄生電容小、集成度高、漏電流小等優點。SOI CMOS器件的橫截面。通常根據在絕緣體上的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結構。FD型與PD型相比，由於具有良好的等比例縮小特性，近...
《SOI——納米技術時代的高端矽基材料》由中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員林成魯編著，2009年6月由中國科學技術大學出版社出版，屬工程技術類學術著作。該書基於納米技術發展背景，聚焦絕緣體上矽（SOI）材料在微電子、光電子等領域的套用需求，系統探討其製備工藝與技術原理。全書收錄40篇研究論文，分為五...
Soi Soi，數智音樂人，數字唱作人。角色背景 2023年11月15日，Soi正式出道。音樂單曲
新型低k介質埋層SOI功率器件耐壓理論與新結構是電子科技大學羅小蓉團隊基於面上項目研發的功率器件技術，旨在突破傳統SOI（絕緣體上矽）器件因SiO2埋層導致縱向耐壓受限的技術瓶頸。該研究提出了介質場增強理論，建立適用於變介電常數（k值）及變厚度埋層的耐壓統一解析模型，並創新性引入低k介質提升埋層電場至150-200V/...
《SOI光波導器件》是2010年8月電子工業出版社出版的圖書，作者是陳媛媛。內容簡介 絕緣襯底上的薄膜矽材料（Silicon-on-insulator，SOI）是一種新型的矽材料，近年來在半導體光電子學領域的套用日益廣泛。SOI光波導器件的研究成為目前矽光子學研究的一個熱點問題。本書系統地介紹了SOI材料的無源導波光學器件，特別是光...
SOI 是指以“工程化的”基板代替傳統的體型襯底矽的基板技術，這種基板由以下三層構成：● 薄薄的單晶矽頂層，在其上形成蝕刻電路 ● 相當薄的絕緣二氧化矽中間層 ● 非常厚的體型襯底矽襯底層，其主要作用是為上面的兩層提供機械支撐。開始採用SOI材料做基板時，晶片製造商在生產過程中仍然能夠繼續使用傳統的製造工藝
高速I-V測試的早期實現方式（通常稱之為脈衝式I-V測試系統）是針對諸如高k介質和絕緣體上矽（SOI）恆溫測試[4]，或產生快閃記憶體器件特徵分析所必需的短脈衝之類的套用而開發的。脈衝式I-V測量技術是十分必要的，這是因為當採用傳統直流I-V測試方法時，它們的絕緣襯底使得SOI器件保留了測試信號自身產生的熱量，使測得...
面向服務的集成（SOI，service-oriented integration）定義成只使用面向服務的體系結構的業務互動的綜合計算實體。面向服務的集成通過允許IT組織提供現有套用中鎖定的功能，作為可再用服務，來處理集成原有不可變多種系統的問題。跟傳統企業套用集成（EAI）相反，面向服務的集成的顯著特徵為：明確的標準接口——向消費者提供...