PCVD沉積饋膜過程主要包括“電漿物理”和“電漿化學”兩個方面的內容：電漿物理是指低壓氣體輝光放電過程；電漿化學是指不均勻的氣固表面發生的多相化學反應。電漿化學反應是通過高能電子與分子碰撞使之激發、離解、電離，在非熱平衡狀態下進行的化學反應。而熱化學反應是通過熱能激活反應物質，在熱平衡的狀態進行的化學反應。可見電漿化學反應與熱化學反應有很大差異。
可見由非平衡電漿作用而形成鍍膜包含有許多過程，目前對電漿化學反應中的一些重要問題尚不十分清楚，解釋多為經驗性解釋。另外，影響電漿狀態的參數亦很多，這使過程的解釋更為複雜，這些參數包括；①基材溫度，基材有無偏壓作用；②氣體壓力、流量、稀釋氣體種類，稀釋氣體含量比，有無參雜氣體及其含量比；③與放電功率和頻率間的關係，耦合方式（內部電極與外部電極不同，電容耦合與電感耦各不同）：③基材種類，反應前預處理，升溫及冷卻速率等；⑤各種裝置的圓有影響因素等。
PCVD沉積鍍膜設備一般包括：沉積爐（反應器）、放電電源、真空系統、氣源及檢測系統。放電電源主要有直流和射頻電源。最近，脈衝和微波電漿也有很快的發展和套用。
