OPSL是一種包含半導體晶片的工具
基本介紹
- 中文名：OPSL
- 包括：光纖耦合雷射二極體陣列
- 增益介質：半導體晶片
- 輸出光束：單橫模
在光泵浦半導體雷射器[Optically Pumped Semiconductor Laser（OPSL）]雷射器中，直接耦合的單個雷射二極體或光纖耦合雷射二極體陣列發出的泵浦光被再次成像到OPS晶片的前表面。這種單片III-V族半導體晶片包括兩層砷化鎵（GaAs）和夾在其中的砷鎵銦（InGaAs）量子阱。兩層GaAs經過了最佳化從而能有效地吸收泵浦光，產生大量的載流子。這導致載流子的粒子數反轉並在量子阱中複合發光，其輻射波長由量子阱的化學計量和物理尺寸決定。在這些吸收/輻射層的後面，是由多層高低折射率交替的介質層構成的低損耗分散式布拉格反射鏡（DBR），該反射鏡經過了最佳化，可以得到特定的OPS輸出波長。
OPSL的增益介質是半導體晶片，由InGaAs量子阱層與GaAs層交替排列構成。GaAs層吸收泵浦輻射，InGaAs量子阱的發射波長由量子阱尺度以及銦和鎵的相對配比決定。增益介質用二極體陣列發出的近紅外光泵浦。OPSL光可以輕易地進行內腔倍頻（三倍頻），因此輸出光束為單橫模，並且光束質量因子M優於1.1。
