Mario Licciardello先生1942年生於義大利卡塔尼亞，1964年畢業於卡塔尼亞大學物理系 。Licciardello 於1965年加盟SGS-ATES公司，從那時到今天的意法半導體，他曾在公司的不同崗位上擔任過各種職務。
基本介紹
- 外文名：Mario Licciardello
- 國籍：義大利
- 出生地：義大利卡塔尼亞
- 出生日期：1942
簡介,發展歷史,
簡介
“Mesa”電晶體的製程和器件開發測試是他在職業生涯中取得的第一項成功，後來這項技術發展成了今天廣泛使用的平面製造工藝(“單平面“)。上個世紀60年代末，Licciardello 幫助公司在 Castelletto 成立了先進的研發中心，並建立了歐洲第一個用於製造積體電路的可控制環境—潔淨室。
發展歷史
1970年，Licciardello被調到公司位於Agrate的總部，從事MOS(金屬氧化物半導體)製造工藝的研發。他是公司第一個MOS積體電路開發的開拓者之一，為包括EPROM/EEPROM非易失性存儲器和微控制器在內的幾個產品線取得市場成功做出了貢獻。
20世紀90年代初，Licciardello任職於公司戰略規劃部，監管公司的投資預算和長期規劃，他為公司的多個重點規劃和結構重組做出了巨大貢獻，包括股東資本結構的成功調整。
1993年，Licciardello調到意法半導體的存儲器產品部(MPG)，擔任 EEPROM部門的總經理，他提出了多項重要的技術創新，如“雙層多晶矽”製程和SPI(串列外設匯流排)。在他的領導下，該部門的收入和市場份額獲得了穩定的增長，使該公司的EEPROM銷售額排名上升到全球第二位。
1996年，他被任命為存儲器產品部副總裁兼快閃記憶體部門的總經理。在這個極其複雜、競爭白熱化的市場中，為實現在五年期內從一個處於邊緣的企業發展為三大快閃記憶體供應商的宏偉目標，Licciardello重新調整了意法半導體存儲器產品的戰略重點。在Licciardello的領導下，意法半導體在NOR快閃記憶體市場上的銷售額實現了巨大增長，從不到1000萬美元增長到1.2億美元以上，公司的市場份額也從3%攀升到16%。通過與海力士半導體公司的成功合作，ST在NAND快閃記憶體市場也取得了長足的進步。
2003年,Licciardello被任命為存儲器產品部副總經理，並從2005年1月1日起，晉升為公司副總裁，主管存儲器產品部。
2007年1月，Licciardello 被任命為公司副總裁兼新創建的快閃記憶體產品部（FMG）總經理。
在2007年5月英特爾和意法半導體宣布整合雙方在非易失性存儲器方面的研發、製造、銷售及行銷資產成立一家新的獨立的快閃記憶體公司後，Mario Licciardello即將接任新公司的營運長一職。新的快閃記憶體公司被命名為Numonyx。在通過監管機關的審批，並符合特別成交條件後，新公司預計2007年下半正式成立。屆時，存儲器市場上將會出現一個新的重量級選手。
