InnoGaN

InnoGaN是英諾賽科基於8英寸矽基氮化鎵（GaN-on-Si）技術平台研發的增強型功率電晶體系列，涵蓋15V-1200V高、中、低壓全電壓範圍，主要套用於消費電子、數據中心、汽車電子及新能源與儲能領域。產品採用IDM全產業鏈模式生產，通過PGaN層調控柵極下方的二維電子氣實現導通，具備超高頻開關、低柵極電荷及零反向恢復電荷等技術特性。

該系列採用單體型E-Mode GaN HEMT結構，需正壓驅動，通過調整Vgs電壓控制溝道電流，閾值電壓Vth對應指定Ids導通狀態。器件封裝形式包括TOLL、DFN和FCQFN等，支持PD快充等場景的小型化需求。在汽車電子領域，產品通過IATF 16949及AEC-Q101認證，套用於車載電源和雷射雷達系統；工業領域可提升光伏儲能系統效率至96%，數據中心場景中與長城電源合作的鈦金級電源方案實現超96%轉換效率。

基本介紹

• 中文名：氮化鎵晶片
• 外文名：InnoGaN 
• 所屬品牌：Innoscience 
• 產品類型：第三代半導體氮化鎵功率晶片

產品簡介

• 增強型電晶體-常閉型功率開關
• 開關速度快
• 零反向恢復電荷
• 低柵極電荷，低輸出電荷
• 符合JEDEC標準
• ESD 保護
• 符合RoHS、 Pb-free、 REACH等認證

產品特點

英諾賽科氮化鎵晶片（InnoGaN）具備超高的開關頻率、低柵極電荷，低輸出電荷以及零反向恢復電荷等特性，可廣泛套用於消費電子、數據中心、汽車電子、新能源與儲能領域。

InnoGaN

套用領域

英諾賽科氮化鎵晶片（InnoGaN）因其超高的開關頻率、低柵極電荷，低輸出電荷以及零反向恢復電荷等性能，可廣泛套用於消費電子領域的手機充電保護、快充、適配器、LED電源；可再生能源及工業套用領域的儲能、電池化成、光伏微逆產品；數據中心領域的伺服器電源、48V/12V的模組電源；汽車電子領域的雷射雷達、車載充電機和車載DCDC電源等套用中。

工作原理

InnoGaN器件均屬於單體型E-Mode GaN HEMT，需要使用正壓驅動。InnoGaN在GaN HEMT的柵極下方放置了PGaN層。PGaN使柵極下方的GaN外延層形成耗盡區，阻斷了2DEG。隨著Vgs的電壓逐漸加大，柵極下方的2DEG逐漸恢復，溝道能夠導通的電流Ids也越大。當Ids達到指定值時，對應的Vgs稱為閾值電壓Vth。