ICP刻蝕機-F

ICP刻蝕機-F是一種用於數學領域的分析儀器，於2013年9月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：ICP刻蝕機-F
• 產地：日本
• 學科領域：數學
• 啟用日期：2013年9月1日
• 所屬類別：分析儀器 > 電子光學儀器

技術指標

介電材料刻蝕：ICP模式；刻蝕精度：0.35微米。

主要功能

自動化操作，刻蝕方式： ICP模式；刻蝕精度：0.35微米；主要刻蝕介質：Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蝕尺寸：6英寸、4英寸。均勻性小於5%。