GIDL(gate-induced drain leakage) 是指柵誘導漏極泄漏電流，對MOSFET的可靠性影響較大。
定義,分類,參考資料,
定義
MOSFET 中引發靜態功耗的泄漏電流主要有：源到漏的亞閾泄漏電流，柵泄漏電流，發生在柵漏交疊區的柵致漏極泄漏 GIDL 電流，如圖下圖所示。在這些泄漏電流中，在電路中器件處於關態或者處於等待狀態時，GIDL 電流在泄漏電流中占主導地位。
分類
GIDL 隧穿電流
當柵漏交疊區處柵漏電壓 VDG很大時，交疊區界面附近矽中電子在價帶和導帶之間發生帶帶隧穿形成電流，我們把這種電流稱之為 GIDL 隧穿電流。隨著柵氧化層越來越薄，GIDL 隧穿電流急劇增加。
GIDL 產生電流
漏 pn 結由於反偏，產生率大於複合率，在柵控制下，矽和二氧化矽界面處陷阱充當產生中心而引發的一種柵誘導的漏極泄漏電流。
參考資料
超深亞微米CMOS器件GIDL電流及其可靠性研究，陳海峰 ；
