基本介紹
- 中文名：18A-P工藝
- 產品類型：半導體製造工藝節點
- 上市時間：2026年
- 所屬品牌：英特爾
發展歷程,核心技術,產品系列,生態系統支持,市場套用,
發展歷程
Intel 18A-P工藝的早期試驗晶圓於2025年4月開始生產。根據英特爾官方路線圖，Intel 18A-P計畫於2026年推出，預計該工藝將一直沿用至2030年左右。
核心技術
Intel 18A-P是基於Intel 18A工藝的性能增強演進版本。該工藝首次為代工客戶同時提供了RibbonFET全環繞柵極電晶體和PowerVia背面供電技術這兩項核心技術。RibbonFET技術允許對電晶體通道電流進行精確控制，有助於晶片元件的進一步微型化並減少功耗泄漏。PowerVia技術則通過背面供電最佳化布線，提高密度和單元利用率，並降低電阻壓降。
Intel 18A-P工藝集成了新設計的低閾值電壓組件、針對降低漏電率的元件最佳化以及精細化的絲頻寬度規格調整，這些改進旨在提升晶片的每瓦性能。與Intel 3節點相比，該工藝實現了最高15%的性能/功耗比提升和最高30%的晶片密度提升。PowerVia技術帶來的密度和單元利用率提升最高可達10%，其電阻壓降低於傳統的正面供電設計。該工藝的SRAM密度為238 MTr/mm。
產品系列
Intel 18A-P是Intel 18A製程節點的性能增強演進版本。該版本與Intel 18A設計規則兼容，便於客戶無縫升級。
在密度不變的情況下，Intel 18A-P能將能效比再提升大約8%。
在Intel 18A-P的基礎上，英特爾進一步推出了結合Foveros Direct 3D先進封裝技術的Intel 18A-PT版本。Intel 18A-PT主要面向AI、HPC領域的下一代高性能晶片，預計在2028年推出。
為滿足先進封裝需求，英特爾代工提供系統級集成服務，可使用Intel 18A-P製程節點，通過Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（2.5D橋接）技術與Intel 14A等其他節點實現連線。
生態系統支持
圍繞Intel 18A-P工藝，英特爾代工服務提供了對行業標準EDA工具和參考流程的支持，IP和EDA合作夥伴已開始為該節點提供支持。新思科技是EDA合作夥伴之一，為Intel 18A-P工藝節點開發了設計流程並提供了IP。
新思科技的數字和模擬設計流程已通過英特爾18A工藝認證，並已針對英特爾18A-P做好量產準備。其IP和EDA流程針對英特爾18A和18A-P工藝在功耗和面積上進行了最佳化，以利用英特爾的PowerVia背面供電技術。此外，新思科技已加入英特爾代工加速器設計服務聯盟以及英特爾代工加速器芯粒聯盟，拓展與英特爾代工及生態系統的合作，支持基於該工藝的Multi-Die晶片設計。
