三維離子阱,由一對環形電極(ring electrod)和兩個呈雙曲面形的端蓋電極(end cap electrode)組成。在環形電極上加射頻電壓或再加直流電壓,上下兩個端蓋電極接地。逐漸增大射頻電壓的最高值,離子進入不穩定區,由端蓋極上的小孔排出。因此,當射頻電壓的最高值逐漸增高時,質荷比從小到大的離子逐次排除並被記錄而獲得質譜圖。離子阱質譜可以很方便地進行多級質譜分析,對於物質結構的鑑定非常有用。這種由一對環電極和兩個雙曲面端電極形成的離子阱稱為三維離子阱,離子聚焦的位置是在中心的一個點上,具有比較大的空間電荷效應,常規的三維離子阱的離子存儲數目為幾千個。
線性離子阱的工作原理源自四級桿質譜儀。四級桿質譜儀中,加在兩組級桿上的電場表達可以大致的寫為:P = U + V cos (wt) 和 P' = - U - V cos (wt)。其中,U/V的比值,表示離子的選擇精度和通過率。U/V越高,則選擇精度越高,然而通過的離子數就更少。線上性離子阱中,U值為0V,僅在四級桿上施加交變電壓。離子不被選擇的全部限定在空間中。在其中開窄縫的級桿上,加有另外一組交變電壓。也就是有三個交變電壓。通過協調三個交變電壓,使離子進入不穩定狀態繼而從窄縫中射出。