雜質效應（impurity effect）是2019年公布的化工名詞。
基本介紹
- 中文名：雜質效應
- 外文名：impurity effect
- 所屬學科：化工
- 公布時間：2019年
定義,出處,
定義
雜質對結晶過程及最終晶體產品的影響。
出處
《《化工名詞》(三)化學工程基礎分冊》第一版。
雜質效應
相關詞條
- 雜質效應
雜質效應（impurity effect）是2019年公布的化工名詞。定義雜質對結晶過程及最終晶體產品的影響。出處《《化工名詞》(三)化學工程基礎分冊》第一版。1...
- 等電子雜質
才能形成等電子陷阱。等電子陷阱本質上是一個能級，它是由雜質原子取代基質原子並在禁帶中產生能級。這種效應也就是等電子雜質效應。而等電子陷阱俘獲載流子之後成為帶電中心，這一帶電中心由於庫倫作用又能俘獲另一種相反符號的載流子，形成束縛激子。這種束縛激子在由間接帶隙半導體材料製造的發光器件中起主要作用。
- 雜質光
雜質光電導的光譜分布 半導體雜質能級上的電子或空穴吸收光子後,被激發成為自由的光生載流子,這時光子的能量必須大於或等於雜質的電離能。由於雜質電離能比禁頻寬度小,所以雜質光電導的光譜回響的長波限比本徵光電導的長。由於雜質原子的數目比半導體材料晶格原了數目小得多,所以雜質光電導效應相對本徵光電導要微弱得多。
- 電漿中靜電漂移波湍流的雜質效應
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- 雜質分凝
在晶體生長過程中，雜質原子通過液相擴散層遷移形成富集區，BPS公式揭示了凝固速度與擴散速度的競爭關係對分凝效果的影響。半導體工藝中，晶界處的分凝效應導致載流子遷移率降低，而冶金提純則利用該現象實現金屬雜質的高效去除。熱力學分析通過Lippmann相圖闡明雜質分凝的驅動力機制，實驗研究多採用ICP-AES和電子探針進行...
- 雜質補償
當N_D = N_A時達到完全補償，雜質引入的晶格畸變將顯著降低載流子遷移率 補償程度影響 補償程度直接影響半導體電學性質：輕度補償（濃度差＞10^16 cm^-3）：載流子濃度近似為濃度差值 中度補償（差值10^14-10^16 cm^-3）：需考慮雜質散射效應 完全補償（差值=0）：電阻率急劇升高，遷移率下降超90% 套用實例 ...
- 電中性雜質
電中性雜質是半導體材料中不具備電荷活性的雜質類別，其通過等電子陷阱效應和力學性能強化兩類機理髮揮作用。在磷化鎵摻氮體系中，氮原子因電子層結構差異形成等電子陷阱，顯著提升材料的光致發光效率。在矽材料中，氧、氮雜質通過最佳化晶體結構實現了力學強度的倍增效應，而砷化鎵摻銦則通過改善原子結合半徑降低缺陷密度。...
- 摻雜效應
摻雜效應指通過引入異質原子調控材料物理性質的物理機制。在稀土鎳酸鹽體系中，H⁺摻雜導致超過10%的晶格膨脹並引發金屬 絕緣體相變，驗證了離子 晶格 電荷耦合機制。Ag₂Se薄膜中Te摻雜通過微應變和替位效應最佳化載流子輸運路徑，使熱電優值達1.27（2024年數據）。Kagome超導體V位摻雜可抑制電荷密度波，實現超導態...
- 雜質半導體
因此這時空穴是多數載流子，雜質半導體主要靠空穴導電，即空穴導電型，稱為p型半導體。在P型半導體中空穴是多數載流子，電子是少數載流子。在半導體器件的各種效應中，少數載流子常扮演重要角色。本徵半導體 不含雜質和缺陷的純淨半導體，其內部電子和空穴濃度相等，稱為本徵半導體。本徵半導體不宜用於製作半導體器件，因其製成的器件性能很不
- 雜質能帶
雜質能帶的形成理論 當施主雜質依度非常高，相鄰雜質中心的束縛電子波函式互相交疊。這時被施主雜質俘獲的電子不再束縛或局限於某一個施主雜質中心。這些電子可以依靠隧道效應穿過分割相鄰雜質原子的勢壘，成為非局域化電子。這就形成了雜質能帶。雜質能帶的寬度正比於相鄰束縛電子波函式交疊的程度。圖1是Si的電子濃度和...
- 陷阱效應
該效應與複合中心的區別在於：陷阱中心以積累載流子為主，而複合中心以促進載流子複合為主。雜質能級是否表現為陷阱取決於能級位置、載流子俘獲機率及溫度等外界條件。在半導體材料測試中，陷阱效應會導致非平衡載流子複合壽命測量值異常增高，需通過修正技術消除其對測試結果的影響。定義與物理機制 陷阱效應特指半導體材料在...
- 禁帶變窄效應
禁帶變窄效應指半導體材料在高濃度摻雜條件下，由於雜質能級擴展形成雜質能帶，並與導帶或價帶相連形成簡併能帶，導致有效禁頻寬度減小的物理現象。該效應在摻雜濃度超過10¹⁹ cm⁻³時顯著出現，通過改變能帶邊緣位置和狀態密度分布，影響半導體器件的載流子傳輸機制與光電特性。實驗研究表明，該效應在AlGaAs/GaAs異質...
- 非常規超導體中雜質的無序效應的動力學平均場研究
利用這一方法，我們不僅能夠嚴格地處理無序效應，而且也能夠有效地研究電子間的強相互作用。我們將重點研究雜質的無序效應對超導材料的多種長程式之間的競爭的影響，從而闡明無序效應在超導體的量子相變中所起的作用。此外，我們將研究無序效應對超導材料的電導、磁化率和光電導等物理量的影響，並將理論結果與實驗結果...
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拉瑪納桑不理解這一現象，把它看成是由於雜質造成的二次輻射，和螢光類似。因此，在論文中稱之為“弱螢光”。然而拉曼不相信這是雜質造成的現象。如果真是雜質的螢光，在仔細提純的樣品中，應該能消除這一效應。在以後的兩年中，拉曼的另一名學生克利希南（K.S.Krishnan）觀測了經過提純的65種液體的散射光，證明都...
- 純鋁凝固時鐵矽雜質相的電磁效應
《純鋁凝固時鐵矽雜質相的電磁效應》是依託東北大學，由崔建忠擔任項目負責人的面上項目。 中文摘要 鐵和矽是鋁和鋁合金中主要的雜質，它們一般與鋁形成化合物，呈雜質相存在，這些雜質相對鋁和鋁合金的性能影響很大。降低材料的強度和塑性，增加鑄錠時的裂紋趨勢，箔材出現針孔等等。所以高性能的鋁材要採用高純鋁。...
- 小平面效應
小平面效應即是在小平面區雜質濃度與非小平面區有很大 差異,這種雜質在小平面區域中分布異常的現象。概念 晶體生長的固液界面，由於受坩堝中熔體等溫線的限制，常常是彎曲的。如果在晶體生長時迅速提起晶體，則在鍺、矽單晶的固液界面會出現一小片平整的平面，它是(111)原子密排面，稱之為小平面。在小平面區雜質...
- 塞貝克效應
②電子自由程的影響。因為金屬中雖然存在許多自由電子，但對導電有貢獻的卻主要是Fermi能級附近2kT範圍內的所謂傳導電子。而這些電子的平均自由程與遭受散射（聲子散射、雜質和缺陷散射）的狀況和能態密度隨能量的變化情況有關。如果熱端電子的平均自由程是隨著電子能量的增加而增大的話，那么熱端的電子將由於一方面具有...
- 霍爾效應
量子反常霍爾效應(QAHE)量子化的反常霍爾效應。在時間反演對稱性保護的拓撲絕緣體材料中引入磁性，比如磁性摻雜或者磁性近鄰效應，將會觀測到量子反常霍爾效應。自旋霍爾效應（SHE）當電流通入材料時，由於雜質的散射或者自旋-軌道耦合作用在橫向方向會產生自旋流，該自旋流在樣品的邊界處產生自旋積累，在邊界處積累的自旋方向相反，並且橫向
- 萊頓弗羅斯特效應
水的萊頓弗羅斯特點會隨著水中含有的雜質、滾燙物件的材質、水的溫度等而改變，粗略量度下水在平底鍋的萊頓弗羅斯特點為約193°C。廚師在預熱鍋子時，只要落下幾滴水看會否形成水珠，便可得知鍋子是否夠熱。在傳統的過火儀式，參加者會先沾濕雙腳，由於萊頓弗羅斯特現象令水不會快速升溫，使得熱不容易傳到人們的腳，...
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《納米管線中的雜質態及邊界效應》是依託清華大學，由吳健擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目將綜合利用分子動力學、第一原理計算和格林函式方法,對具有廣泛套用前景的納米管線中的雜質態及邊界效應進行理論分析和計算模擬。在研究納米管線中單個缺陷導致的雜質態的基礎之上，重點研究它們之間的相互關聯及其對電子...
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大氣雜質(atmospheric impurity))指懸浮在大氣中的固體微粒和水汽凝結物，不屬於空氣的正常組成成分，而數量變動較大的粒子或氣體。介紹 大氣中除了氣體成分以外，還有很多由液體和固體雜質、微粒組成的大氣雜質，也可稱為氣溶膠粒子。雜質是指來源於火山爆發、塵沙飛揚、物質燃燒的顆粒、流星燃燒所產生的細小微粒和海水...
- 萃取效應
在化學中，萃取是指在混合物中加入某種物質，利用混合物的各種成分在該溶劑中溶解度不同而將它們分離。如在含有硝酸鈾醯的水溶液中加入乙醚，硝酸鈾醯從水中轉入乙醚中而雜質仍留在水中。這種萃取在分離混合物中的作用，就稱之為萃取效應。解釋 A L續 安慰劑效應 盧維斯定理 阿爾巴德定理 藍斯登定律 暗箱模式 藍斯...
- 墨汁效應
墨汁效應是一種以墨汁滴入清水後迅速擴散的現象為比喻的社會效應。該效應通過對比墨汁滴入杯水與海水產生的不同結果，闡釋容器容量對物質擴散的容納能力差異。當墨汁滴入一杯清水時，清水迅速變色無法飲用；而滴入大海後，。其原理在於容器的容量差異：小容量容器難以容納雜質，大容量容器則具備更強的包容性。該現象被...
- 帶隙變窄效應
為應對該效應提出的多晶矽發射極技術，通過在金屬電極與單晶矽發射區間引入摻雜多晶矽層，改善了表面區域的載流子複合特性。這種結構最佳化有效提升了器件的電流放大特性與高頻工作能力，形成了具有工程套用價值的解決方案。（1）帶隙變窄效應的產生機理：因為半導體重摻雜時將要產生能帶尾和雜質能帶；當摻雜濃度很高時，能帶尾...
- 黃體酮
限度:供試品溶液色譜圖中如有雜質峰,單個雜質峰面積不得大於對照溶液主峰面積的0.5倍(0.5%),各雜質峰面積的和不得大於對照溶液主峰面積(1.0%),小於對照溶液主峰面積0.05倍的色譜峰忽略不計。 乾燥失重 取本品,在105℃乾燥至恆重,減失重量不得過0.5%(通則0831)。 含量測定 照高效液相色譜法(通則0512)測定。
- 打標機
導軌由於直接面對的是被加工的工件,工件在刻印過程中產生的碎屑和平時現場環境中的灰塵等雜質容易附著在導軌上,長時間後易造成導軌磨損。避免的方法是定期用汽油清洗導軌,擦乾後加入適量潤滑油即可,該項工作建議兩周一次。同時注意在清洗加油的過程中應儘是避免將油加到同步帶上。 控制器的保養 設備由於自身的特點長...
- 分凝現象
熔區長度：理論最佳長度為料棒直徑的1/3-1/2，過短會降低雜質遷移效率，過長則增加能耗 工業套用領域 半導體提純：區熔法將鍺純度提升至7個9（99.99999%），通過20次以上熔區移動使雜質集中於端部後截除 矽單晶生長中，磷雜質（K₀=0.35）沿晶體軸向形成尾部濃度遞增現象，需結合蒸發效應進行補償 稀土金屬...
- 重味超核
重味超核首次提供了在u，d夸克海中探測重味強子行為特徵的機會。理論工作者用相對論平均場理論，估算了含粲夸克和底夸克的重味超核的單粒子能量，平均束縛能，電荷半徑等靜態性質及與它們的勢阱深度和相關的耦合常數，以及含粲夸克與底夸克的重味超核的不同雜質效應。 目前關於([1])-超核的試驗數據已經取得了...
- 姆潘巴現象
《物理世界》的一位評論家寫道：“即使姆潘巴效應是真實的——如果熱水有時比冷水凍結得更快——也不清楚這種解釋是微不足道的還是有啟發性的。”初始參數（包括水的類型和初始溫度、溶解氣體和其他雜質，以及容器的大小、形狀和材料，以及冰櫃的溫度），並且需要確定確定凍結時間的特定方法，所有這些都可能影響姆潘巴...
