雙束流(two beams )是2018年公布的核醫學名詞,出自《核醫學名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名:雙束流
- 外文名:two beams
- 所屬學科:核醫學
- 公布時間:2018年

雙束流(two beams )是2018年公布的核醫學名詞,出自《核醫學名詞》第一版。
雙束流(two beams )是2018年公布的核醫學名詞,出自《核醫學名詞》第一版。定義回旋加速器中能將束流分成兩部分並分別將粒子束流同時引出並準直到雙靶上,同時生產相同或不同的兩種核素的束流系統。出處《核醫學名詞》第...
雙束流聚焦離子束系統 雙束流聚焦離子束系統是一種用於農學領域的分析儀器,於2014年3月31日啟用。技術指標 解析度0.1nm。主要功能 用於半導體或非半導體材料的縱向結構分析。
《雙束尾場加速器原理及加速結構研究》是依託中國科學技術大學,由王琳擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 當強引導電子束流通過不連續性結構時,會激發尾場,利用模型分析和數值模擬,設計可以產生高梯度尾場的減速結構,令尾隨的粒子獲得更高的能量增益,受標準尾場理論限制,直接尾場加速的轉換比不超過2,...
本項目擬研究電子束-離子束雙束融合模型及同步微納加工精度,內容包括:雙束融合模型的建立、同步加工束品質研究、同步粒子束與樣品的碰撞以及實驗驗證。本項目擬採用理論分析、數值計算和實驗相結合的研究方法。首先通過求解給定初始條件下電磁場中N個帶電粒子的牛頓-洛侖茲方程組獲得電子束和離子束三維束流分布,...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能 FIB/SEM雙束系統是樣品成像、改性、加工和實效分析的有效工具,可提供三維高...
技術指標 1.電子束系統解析度:0.9nm(15kv)/1.4nm(1kv)2.離子束系統解析度:在束交叉點:4.5nm@30kV(統計測量法)在束交叉點:2.5nm@30kV(單邊測量法)3.電子束加速電壓:350V-30kV4.離子束加速電壓:0.5-30kV5.電子束流:≤22nA6.離子束流:1pA ?C 65nA。主要功能 納米級加工及觀測研究。
雷射消熔碳原子成分的信息和一定的載能束的轟擊處理,能改善膜結構。特色與創新性的另一研究成果,是C60薄膜通過載能束的作用,形成氮化碳膜。對C60膜及氮化碳本身的研究、開發套用十分有意義。初步研製成強氮原子束源。束流達1019原子/srs。對氮化碳薄膜研究套用,有十分重要的意義。本研究項目成果,已分別在國...
雙束聚焦離子束微納加工儀是一種用於材料科學、物理學、基礎醫學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月9日啟用。技術指標 電子源: FEG 離子源: Gallium liquid metal 加速電壓: SEM≥30KV FIB≥30KV,束流≥50nA SEM二次電子像解析度: ≤1.2 nm @ 高壓模式 ≤2.8 nm @ 低壓模式 FIB 解析度 ≤7 nm。
雙束工作站是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年03月18日啟用。技術指標 SEM成像解析度 1.0nm@15kV 1.9nm@1kV SEM成像放大倍率 12×~100k× 電子束最大束流100nA 連續可調 能譜儀能量解析度 129eV FIB成像解析度 主要功能 納微結構的形貌,刻蝕,沉積,連結。TEM樣品製備,陰極射線發光,材料操控,X-射線...
聚焦離子束雙束電子顯微鏡是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2016年10月1日啟用。技術
《雙束雷射輔助分子束原位沉積複合薄膜機理研究》是依託華中科技大學,由王秋良擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 提出採用雙束雷射輔助分子束原位沉積複合薄膜的新方法,利用高速氣體側吹由兩束準分子雷射同步照射兩個不同的靶材所誘導出的並在空間反應混合的電漿,在置於氣流對面的基片上沉積出顆粒細密均勻...
主要功能 . Schottky FESEM第一次達到亞納米解析度 2. FIB出色的解析度以及最大範圍的束流和加速電壓 3. 出色的成像質量和系統穩定性 4. 新集成的電子和離子束16 位數字圖案生成器 5. 最薄的樣品製備,非常低的樣品損傷、高速度、並且操作輕鬆 6. 二維和三維的納米表征和納米原型製作達到了新的極限。
歷史20世紀50年代初,加速器的設計者就有過利用對撞束來獲得更高質心繫能量的構想,但是鑒於加速器中束流的強度太低,束流密度遠低於靶的粒子密度,雙束對撞引起的相互作用反應率將比束流轟擊固定靶時發生的反應率低106倍,這樣,很難進行最低限度的測量,這種構想就沒有得到應有的重視。1956年 1956年人們開始懂得依靠...
20世紀50年代初,加速器的設計者就有過利用對撞束來獲得更高質心繫能量的構想,但是鑒於加速器中束流的強度太低,束流密度遠低於靶的粒子密度,雙束對撞引起的相互作用反應率將比束流轟擊固定靶時發生的反應率低106倍,這樣,很難進行最低限度的測量,這種構想就沒有得到應有的重視,1956年人們開始懂得依靠積累技術...
VistecEBPG-5200電子束光刻系統 (Vistec EBPG-5200Electron-beam lithography system)主要技術指標/Specifications:1. 最大加速電壓:100KV Accelerating voltage: 100KV 2. 最大掃描速度:50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 3. 束流:0.1nA~100nA Beam current:0.1nA~100nA 4. 最小束斑直徑:≤3nm ...
現在的靶體設計為傾斜式,束流可以與更大面積的靶料反應,增加了核素產量的同時,也便於熱量的散發,這樣的設計特別表現在固體靶技術上,傾斜的角度可以達到5~12度。4.雙束流轟擊技術 在回旋加速器最大半徑的不同位置上設定兩個碳膜提取裝置,將質子(或氘核)同時引到兩個不同的靶體上,可以同時生產同一種正...
直線感應加速器產生微波的一個重要套用是構想作為高能正負電子直線對撞機的功率源,即相對論束調管雙束加速器(RK-TBA)方案。這種方案用直線感應加速器加速強流、低能量的驅動束,並在大部分束線維持10MeV能量。同時採用類似速調管的結構從驅動束引出頻率為11.4GHz的射頻功率,然後送到對撞機的高梯度加速結構上去...
